高周波能動素子における基板結合の評価とモデリング(アナログ,アナデジ混載,RF及びセンサインタフェース回路)
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概要
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MOSFETの基板結合強度モデルを抵抗メッシュネットワークとMOSFET素子のバックゲート結合により広帯域で表現可能であることを確認した.65nm CMOSプロセスにおいて,基板ドレイン間と基板ゲート間の結合強度を測定するための,2ポートのSパラメータ測定用のテストレイアウトを作成した.基板結合や周囲環境を含んだ等価回路モデルを作成し解析を行った結果,8 GHzまでの伝達特性において最大の誤差で6dB以下の精度で表現できていることを確認した.
- 一般社団法人電子情報通信学会の論文
- 2013-06-27
著者
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