FETの寄生素子を考慮した伝送線路帰還FET発振回路のQファクタシミュレーションとSSB雑音測定(化合物半導体テバイス及び超高周波テバイス/マイクロ波一般)
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概要
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本研究では,伝送線路で帰還回路を構成したFET発振回路において,FETの寄生素子を考慮することでQファクタがより厳密に計算できることを,シミュレーション及びSSB雑音測定によって示す.具体例として伝送線路1本で帰還回路を構成したトポロジ,これに加えてFETのドレインにλ/2オープンスタブを装荷したトポロジ,ドレイン及びゲートにそれぞれλ/2オープンスタブを装荷したトポロジ,計3つのQファクタが異なるトポロジにおいて,発振条件,発振安定判別,Qファクタを計算した.この結果の妥当性を検証するために,回路を試作しSSB雑音測定を行い,QファクタとSSB雑音の関係を示した.測定の結果,Qファクタが高いトポロジほどSSB雑音か低くなることを確認した また,それぞれの回路のSSB雑音はLeesonの式に示される理論に対して偏差017dBrmsの高精度で一致し,今回の検討が妥当であることを示した.
- 一般社団法人電子情報通信学会の論文
- 2013-01-10
著者
-
大平 孝
豊橋技術科学大学
-
大平 孝
国立大学法人 豊橋技術科学大学
-
大平 孝
Atr適応コミュニケーション研
-
ウリン トヤ
富山大学
-
大平 孝
豊橋技術科学大学電気・電子情報工学系
-
上原 秀幸
豊橋技術科学大学電気・電子情報工学系
-
南 昂孝
豊橋技術科学大学
-
崎原 孫周
豊橋技術科学大学
-
上原 秀幸
豊橋技術科学大学
-
ウリン トヤ
豊橋技術科学大学
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