AlGaAs系フォトニック結晶構造作製に向けたICPドライエッチングマスクに関する研究(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)

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概要

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• フォトニック結晶作製を目指し,高Al組成のAlGaAsのICP(Inductive Coupled Plasma)ドライエッチング時のエッチングマスクの研究を行った.本研究では従来用いているSiO_2マスクとSi_3N_4マスクの比較からSi_3N_4マスクの有用性を検討した.この比較からSiO_2マスクから生じる酸素はAl酸化物堆積に影響を及ぼしていないことが分かった.またSiO_2マスクに比べSi_3N_4マスクの方がマスク耐性が高いということが分かり,より幅広い条件でエッチングを行う上でSi_3N_4マスクは有望であることを見出した.

• 2012-11-22

著者

• 石川 史太郎

  北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター及び大学院工学研究科電子情報工学専攻

• 近藤 正彦

  大阪大学大学院工学研究科量子電子情報工学専攻

• 石川 史太郎

  大阪大学大学院工学研究科量子電子情報工学専攻

• 北林 佑太

  大阪大学大学院工学研究科量子電子情報工学専攻

• 近藤 正彦

  大阪大学大学院 工学研究科 量子電子情報工学専攻

• 栂野 裕二

  大阪大学大学院工学研究科電気電子情報工学専攻

• 近藤 正彦

  大阪大学大学院工学研究科電気電子情報工学専攻

• 北林 佑太

  大阪大学大学院工学研究科電気電子情報工学専攻

• 石川 史太郎

  大阪大学大学院工学研究科電気電子情報工学専攻

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