フォトニック結晶構造作製を目的とした高Al組成AlGaAs誘導結合型プラズマエッチング(TFT(有機,酸化物),半導体プロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)

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概要

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• 本研究ではフォトニック結晶作製を目的とした,Cl_2/BCl_3/CH_4を用いた高Al組成AlGaAs誘導結合型プラズマエッチングをについて調べた.高Al組成AlGaAsにおいては,AlO_xの堆積によりエッチングレートが低下する.BCl_3は還元作用により堆積したAlO_xを除去する効果がある.CH_4は重合膜を作るため,側壁保護効果をもつ.パターンサイズの影響を調べると,AlO_xの堆積に起因した逆RIEラグが観測された.一方,パターンサイズが小さい場合には,この影響は限定的であることを確認した.この結果から,空孔直径110nm,アスペクト比8のフォトニック結晶構造を作製することに成功した.

• 2011-07-22

著者

• 石川 史太郎

  北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター及び大学院工学研究科電子情報工学専攻

• 近藤 正彦

  大阪大学大学院工学研究科量子電子情報工学専攻

• 石川 史太郎

  大阪大学大学院工学研究科量子電子情報工学専攻

• 北林 佑太

  大阪大学大学院工学研究科量子電子情報工学専攻

• 望月 雅矢

  大阪大学大学院工学研究科量子電子情報工学専攻

• 近藤 正彦

  大阪大学大学院 工学研究科 量子電子情報工学専攻

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