18pFN-10 消滅γ線-イオン同時計測法によるTiO_2表面からの陽電子刺激イオン脱離の観測(18pFN 表面界面ダイナミクス,領域9(表面・界面,結晶成長))

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 一般社団法人日本物理学会の論文
• 2012-08-24

著者

• 長嶋 泰之

  東理大理

• 立花 隆行

  立教大先端科計研

• 平山 孝人

  立教大理

• 立花 隆行

  立教大理

関連論文

• 20pBF-5 MUSASHIトラップにおけるタンク回路を用いた反陽子計測(20pBF ビーム冷却・イオントラップ・FEL・ビームレーザー相互作用,ビーム物理領域)
• ミニチュア円筒鏡型分析器(CMA)を用いた脱離イオンの運動エネルギー分布測定 : 凝縮H_2Oの内殻励起誘起H^+脱離研究への応用
• 「陽電子の分子への付着過程:PET(陽電子断層撮影法)の基礎として」に対するコメント(会員の声)
• 28pYK-1 Naを蒸着したW(100)面からのポジトロニウム負イオン放出(X線・粒子線(陽電子),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 27aZB-9 ポジトロニウム負イオンの光解離実験(原子分子,領域1,原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理)
• 21aPS-72 物理吸着した水分子から光励起脱離する水クラスターイオンの運動エネルギー分布測定(領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 15aPS-35 レーザープラズマ真空紫外光源を用いた光励起脱離実験装置の開発(領域 9)
• 14pXF-14 希ガス固体表面上から光励起脱離するクラスターイオンの運動エネルギー分布測定(表面界面ダイナミクス, 領域 9)
• 28pWR-9 希ガス固体表面上から光励起脱離する水クラスタ : イオンの入射エネルギー依存性(表面界面ダイナミクス(電子励起・摩擦))(領域9)
• 28pWR-8 固体Xe表面上に吸着した水クラスターの光励起脱離とサイズ分布(表面界面ダイナミクス(電子励起・摩擦))(領域9)
• 28pWR-7 レーザープラズマ真空紫外光源を用いた希ガス固体および水の光励起脱離実験(表面界面ダイナミクス(電子励起・摩擦))(領域9)
• 20pYC-11 希ガス固体表面に吸着した水から電子遷移誘起脱離する水クラスターイオンのサイズ分布
• 20aPS-49 希ガス固体表面から電子遷移誘起脱離する水クラスターイオンの入射エネルギー依存性
• 29aZE-10 水が吸着した希ガス固体表面上から電子・光励起脱離する水クラスターイオンの観測
• 21pTC-6 電子エネルギー損失分光法によるArクラスター表面励起状態の選択的観測(21pTC 融合セッション(原子分子・放射線)原子分子,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
• 21aTD-6 低速イオン衝撃による希ガス固体表面からの脱離過程の温度効果(21aTD 原子分子放射線融合,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
• 30aSL-2 ポテンシャルスパッタリングによる希ガス固体表面上からのイオン脱離(30aSL 原子分子,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
• ネオン固体表面上からイオン衝撃脱離するクラスターイオンの観測
• 24aRB-3 多価イオン入射による希ガス固体からのポテンシャルスパッタリング(原子分子・放射線融合(イオン-表面相互作用),領域1,原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理)
• 24aRB-4 希ガス固体表面上からイオン衝撃脱離するクラスターイオンの観測(原子分子・放射線融合(イオン-表面相互作用),領域1,原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理)
• 26aRA-11 電子エネルギー損失分光法を用いたArクラスターの電子的励起過程の実験的研究(原子・分子,領域1,原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理)
• 22aRF-11 電子エネルギー損失分光法を用いた希ガスクラスターの電子的励起過程の研究(原子分子・放射線融合(電離放射線と物質との初期相互作用),領域1,原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理)
• 21aRF-4 多価イオン-希ガス固体衝突における脱離2次粒子の観測(放射線・原子分子融合(イオン・表面相互作用),領域1,原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理)
• 21aXH-6 低速多価イオン衝撃による希ガス固体表面からの2次粒子の観測(原子・分子,領域1,原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理)
• 21aXH-10 同時計測法によるAr^(q=3〜6)電荷移行反応の研究(原子・分子,領域1,原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理)
• 27aTB-11 合流ビーム法を用いた希ガスクラスターの電子的励起過程の実験的研究(27aTB 原子・分子,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
• 30aTB-9 電子衝撃による希ガス固体からの脱離角度分布の固体温度依存性(30aTB 原子・分子,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
• 30pTB-9 低速希ガス多価イオンの多重電荷移行反応(30pTB 原子・分子,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
• 30aPS-53 イオン衝撃による希ガス固体表面からの脱離粒子の観測(30aPS 領域9ポスターセッション(表面,界面,結晶成長),領域9(表面・界面,結晶成長))
• 21pYA-4 二電子移行分光法による分子解離過程の研究(原子・分子,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
• 20aYA-3 低速多価イオン衝撃によるNe固体のポテンシャルスパッタリング(原子・分子,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
• 14pTE-9 Ar 多価イオン衝突による N_2 分子の解離(原子・分子, 領域 1)
• 27aXN-7 合流ビーム法を用いた希ガスクラスターと電子の衝突実験(原子・分子)(領域1)
• 28aXD-1 多価イオン・希ガス固体表面衝突実験
• 30aXD-2 イオン照射ポリスチレン表面の機械的物性の測定(30aXD X線,粒子線(陽電子消滅),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 21pYQ-9 イオン照射ポリスチレンの表面改質効果(X線・粒子線(コンプトン散乱・陽電子消滅),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 27aZB-12 ポジトロニウム負イオン束縛エネルギー見積(原子分子,領域1,原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理)
• 18pTA-2 高強度イオン源を用いた電子-イオン衝突実験
• 30aXD-3 ポリマー中のポジトロニウム生成に対するイオン照射の効果(30aXD X線,粒子線(陽電子消滅),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 26pYS-4 イオン照射によるポリ乳酸の質量変化と効果(X線・粒子線(陽電子),領域10(誘電体, 格子欠陥, X線・粒子線, フォノン物性))
• 23aZF-11 陽電子散乱実験のための静電輸送高輝度低速陽電子ビーム発生装置II(23aZF 原子・分子,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
• 23aZF-10 陽電子散乱実験のための静電輸送高輝度低速陽電子ビーム発生装置I(23aZF 原子・分子,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
• 25aWZ-1 Kを蒸着したW(100)面からのポジトロニウム負イオン放出(25aWZ X線・粒子線(陽電子),領域10(誘電体格子欠陥,X線・粒子線フォノン))
• 25aRH-2 陽電子衝突によるHeの全断面積測定3(25aRH 原子分子,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
• 27aRE-1 Cs蒸着したFe及びMoからのポジトロニウム負イオン放出(27aRE X線・粒子線(陽電子),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 20pXB-6 タングステン表面からのポジトロニウム負イオンの自発的放出(20pXB 表面界面ダイナミクス,領域9,領域4合同招待講演,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 26pYS-6 陽電子衝撃によるIn及びSnのL-X線生成断面積の測定(X線・粒子線(陽電子),領域10(誘電体, 格子欠陥, X線・粒子線, フォノン物性))
• 25aRH-5 ポジトロニウム負イオンの光脱離実験3(25aRH 原子分子,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
• 27aZB-10 陽電子衝突によるHeの全断面積測定2(原子分子,領域1,原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理)
• 27pSL-5 陽電子衝突によるHeの全断面積測定(27pSL 原子分子,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
• 23pWD-4 タングステン表面を用いたポジトロニウム負イオンの生成(23pWD 原子・分子,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
• 25aXB-3 タングステン表面からのポジトロニウム負イオンの放出(25aXB 陽電子消滅・コンプトン散乱,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 水が吸着した希ガス固体表面から電子遷移誘起脱離する水クラスターイオンの観測
• 25pGZ-10 反水素合成実験における、反陽子入射による陽電子雲形状の変化(25pGZ プラズマ基礎(乱流・非線形現象・非中性プラズマ),領域2(プラズマ基礎・プラズマ科学・核融合プラズマ・プラズマ宇宙物理))
• 27pRA-5 基底状態反水素原子の偏極ビーム生成(27pRA 原子分子(エキゾチックアトム・陽電子),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
• 27pRA-4 反水素原子消滅信号の検出と検出効率の見積もり(27pRA 原子分子(エキゾチックアトム・陽電子),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
• 25aGAB-2 カスプトラップ法による低エネルギー反水素合成と陽電子の輸送・制御(25aGAB ビーム源・フォトカソード,ビーム物理領域)
• 25pGZ-11 カスプトラップ中での陽電子温度測定(25pGZ プラズマ基礎(乱流・非線形現象・非中性プラズマ),領域2(プラズマ基礎・プラズマ科学・核融合プラズマ・プラズマ宇宙物理))
• 27pRA-9 ポジトロニウム負イオンの光脱離実験4(27pRA 原子分子(エキゾチックアトム・陽電子),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
• 27pRA-8 陽電子衝突によるHe, Neの全断面積測定(27pRA 原子分子(エキゾチックアトム・陽電子),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
• 25aGAB-1 ポジトロニウム負イオンの光脱離を利用したエネルギー可変ポジトロニウムビームの生成(25aGAB ビーム源・フォトカソード,ビーム物理領域)
• 28aRA-13 多価イオンの持つポテンシャルエネルギーによる希ガス固体からの絶対脱離イオン収率の測定(28aRA 原子分子(理論・分光・表面),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
• 希ガス固体におけるイオン衝撃脱離(最近の研究から)
• 24aAD-12 基底状態反水素原子の偏極ビーム生成の計算(24aAD 電子・陽電子・ポジトロニウム,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
• 24aAD-10 カスプトラップから引き出されたスピン偏極反水素原子ビーム検出のための反水素検出器の開発(24aAD 電子・陽電子・ポジトロニウム,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
• 24pCE-3 ポジトロニウム負イオンの光脱離によるエネルギー可変ポジトロニウムビームの生成(24pCE X線・粒子線(陽電子),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 25aGB-8 P_S^-の光脱離を利用したエネルギー可変ポジトロニウムピームの開発(25aGB 光源・ビーム源・ビーム診断・真空,ビーム物理領域)
• 24aAD-3 陽電子衝突によるNeの全断面積測定(24aAD 電子・陽電子・ポジトロニウム,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
• 20pAG-7 アルカリ金属を蒸着したタングステン表面からのミュオニウム放出実験1(20aAG X線・粒子線(ミュオン),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 12pSG-7 J-PARC MUSEにおけるミュオニウム生成実験のための陽電子飛跡検出器の開発(12pSG 素粒子実験領域,実験核物理領域合同,素粒子実験核物理測定器合同セッション(半導体・トラッキング・他),素粒子実験領域)
• 18pFN-10 消滅γ線-イオン同時計測法によるTiO_2表面からの陽電子刺激イオン脱離の観測(18pFN 表面界面ダイナミクス,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 18pAJ-7 低速Ar多価イオン衝撃によるNe固体からの絶対脱離収率の測定(18pAJ 融合セッション(原子・分子・キャピラリー),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
• 20pAJ-9 電子エネルギー損失分光法によるArクラスターの電子的励起過程の研究(20pAJ 原子・分子(原子分子一般・電子衝突・エキゾチックアトム),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
• 29aXZB-6 KEK低速陽電子実験施設におけるビームライン整備と新しい測定装置(29aXZB 領域10,ビーム物理領域合同 X線・粒子線(電子線・陽電子),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 29aXZB-5 加熱した多結晶タングステン表面から放出したポジトロニウムの飛行時間測定(29aXZB 領域10,ビーム物理領域合同 X線・粒子線(電子線・陽電子),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 26pXZB-2 アルカリ金属を蒸着したタングステン表面からのミュオニウム放出実験2(26pXZB 領域10,ビーム物理領域合同 X線・粒子線(ミュオン),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 26pEF-9 アルカリ金属を蒸着したタングステンを用いたポジトロニウム負イオンの生成とその応用(26pEF プラズマ基礎(強結合系,非中性プラズマ,イオン源),領域2(プラズマ基礎・プラズマ科学・核融合プラズマ・プラズマ宇宙物理))
• 29aXZB-4 リチウムを蒸着したタングステン表面からのポジトロニウム負イオンの放出(29aXZB 領域10,ビーム物理領域合同 X線・粒子線(電子線・陽電子),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 29pED-6 低速陽電子入射によるTiO_2(110)からの内殼電子消滅誘起イオン脱離の観測(29pED 原子分子(電子・陽電子),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
• 29pED-4 陽電子衝突によるArの全断面積測定(29pED 原子分子(電子・陽電子),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
• 29pED-3 光電効果を利用した低エネルギー電子銃の開発(29pED 原子分子(電子・陽電子),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
• 26aEG-9 BGOを用いた反水素ビーム検出器の開発I(26aEG 原子分子(エキゾチックアトム),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
• 26aEG-8 反水素原子ビーム生成におけるAutoresonance法(26aEG 原子分子(エキゾチックアトム),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
• 26aEG-7 カスプトラップを用いた反水素原子ビーム生成実験(26aEG 原子分子(エキゾチックアトム),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
• 26pXZB-3 高計数率耐性を備えた腸電子飛跡検出器の開発およびJ-PARCにおけるミューオンg-2/EDM精密測定実験のためのミューオニウム生成標的の研究(26pXZB 領域10,ビーム物理領域合同 X線・粒子線(ミュオン),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 26pXZB-3 高計数率耐性を備えた陽電子飛跡検出器の開発およびJ-PARCにおけるミューオンg-2/EDM精密測定実験のためのミューオニウム生成標的の研究(26pXZB 領域10,ビーム物理領域合同 X線・粒子線(ミュオン),ビーム物理領域)
• 26pXZB-2 アルカリ金属を蒸着したタングステン表面からのミュオニウム放出実験2(26pXZB 領域10,ビーム物理領域合同 X線・粒子線(ミュオン),ビーム物理領域)
• 27aRF-8 高計数率耐性を備えた陽電子飛跡検出器の開発およびJ-PARCにおけるミューオンg-2/EDM精密測定実験のためのミューオニウム生成標的の研究(27aRF 素粒子実験領域,実験核物理領域,理論核物理領域,ビーム物理領域合同 J-PARCと原子核素粒子実験,素粒子実験領域)
• 29aXZB-6 KEK低速陽電子実験施設におけるビームライン整備と新しい測定装置(29aXZB 領域10,ビーム物理領域合同 X線・粒子線(電子線・陽電子),ビーム物理領域)
• 29aXZB-5 加熱した多結晶タングステン表面から放出したポジトロニウムの飛行時間測定(29aXZB 領域10,ビーム物理領域合同 X線・粒子線(電子線・陽電子),ビーム物理領域)
• 26pEF-4 反水素ビーム生成における陽電子源の開発(26pEF プラズマ基礎(強結合系,非中性プラズマ,イオン源),領域2(プラズマ基礎・プラズマ科学・核融合プラズマ・プラズマ宇宙物理))
• 26aEB-7 低速多価イオン衝撃による希ガス固体からの絶対脱離収率の測定(26aEB 融合セッション(原子・分子・キャピラリー),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
• 29aXZB-4 リチウムを蒸着したタングステン表面からのポジトロニウム負イオンの放出(29aXZB 領域10,ビーム物理領域合同 X線・粒子線(電子線・陽電子),ビーム物理領域)
• 26aEG-3 Na/W(100)透過型標的を用いたPS^-の放出(26aEG 原子分子(エキゾチックアトム),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
• 21aSJ-3 高計数率耐性を備えた陽電子飛跡検出器の開発およびJ-PARCにおける真空中でのミューオニウム生成実験(学際・応用・加速器・ターゲット・イオン源,実験核物理領域)
• 27aBB-9 レーザープラズマ光源を用いた希ガス固体における光励起脱離実験(原子分子(原子分子一般,表面・固体),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
• 26pBC-1 低速多価イオンと希ガス固体の衝突による脱離過程の研究(融合セッション(原子・分子・キャピラリー),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
• 30pCH-6 陽電子蓄積型パルス化装置を用いたポジトロニウムビームの開発(30pCH 原子分子(エキゾチックアトム),領域1(原子分子・量子エレクトロニクス・放射線))
• 28pAL-11 セシウムを蒸着した多結晶タングステンから放出されるポジトロニウムの飛行時間スペクトル(28pAL X線・粒子線(電子線,陽電子),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 30pCH-1 超微細構造分光のための反水素原子ビーム生成(30pCH 原子分子(エキゾチックアトム),領域1(原子分子・量子エレクトロニクス・放射線))

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク