20pXB-6 タングステン表面からのポジトロニウム負イオンの自発的放出(20pXB 表面界面ダイナミクス,領域9,領域4合同招待講演,領域9(表面・界面,結晶成長))

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 社団法人日本物理学会の論文
• 2008-08-25

著者

• 満汐 孝治

  東理大院理

• 長嶋 泰之

  東理大院理

• 長嶋 泰之

  東理大理

• 満汐 孝治

  東理大理

• 宮本 あやか

  東理大理

• 函館 俊秀

  東理大理

• 坂井 隆彦

  東理大理

関連論文

• 21aHS-1 ポジトロニウム負イオン光脱離実験2(21aHS X線・粒子線(陽電子),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 23aBS-2 反水素合成実験I : カスプトラップ中における反陽子と陽電子の混合(23aBS 対称性・基礎物理・エキゾチックアトム,実験核物理領域)
• 22pTC-5 反水素捕獲用カスプ磁場における高密度陽電子プラズマの生成(22pTC 原子分子,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
• 22pTC-7 カスプトラップにおける反水素合成実験(22pTC 原子分子,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
• 20pBF-5 MUSASHIトラップにおけるタンク回路を用いた反陽子計測(20pBF ビーム冷却・イオントラップ・FEL・ビームレーザー相互作用,ビーム物理領域)
• 29pSL-2 カスプトラップへの反陽子,陽電子の同時閉じ込め(29pSL 原子分子,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
• 27pSL-4 反水素合成・トラップに向けた陽電子源の開発(27pSL 原子分子,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
• 「陽電子の分子への付着過程:PET(陽電子断層撮影法)の基礎として」に対するコメント(会員の声)
• 28pYK-1 Naを蒸着したW(100)面からのポジトロニウム負イオン放出(X線・粒子線(陽電子),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 27aZB-9 ポジトロニウム負イオンの光解離実験(原子分子,領域1,原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理)
• 30aXD-2 イオン照射ポリスチレン表面の機械的物性の測定(30aXD X線,粒子線(陽電子消滅),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 21pYQ-9 イオン照射ポリスチレンの表面改質効果(X線・粒子線(コンプトン散乱・陽電子消滅),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 27aZB-12 ポジトロニウム負イオン束縛エネルギー見積(原子分子,領域1,原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理)
• 30aXD-3 ポリマー中のポジトロニウム生成に対するイオン照射の効果(30aXD X線,粒子線(陽電子消滅),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 26pYS-4 イオン照射によるポリ乳酸の質量変化と効果(X線・粒子線(陽電子),領域10(誘電体, 格子欠陥, X線・粒子線, フォノン物性))
• 23aZF-11 陽電子散乱実験のための静電輸送高輝度低速陽電子ビーム発生装置II(23aZF 原子・分子,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
• 23aZF-10 陽電子散乱実験のための静電輸送高輝度低速陽電子ビーム発生装置I(23aZF 原子・分子,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
• 25aWZ-1 Kを蒸着したW(100)面からのポジトロニウム負イオン放出(25aWZ X線・粒子線(陽電子),領域10(誘電体格子欠陥,X線・粒子線フォノン))
• 25aRH-2 陽電子衝突によるHeの全断面積測定3(25aRH 原子分子,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
• 27aRE-2 Cs-W(100)表面からのPs放出(27aRE X線・粒子線(陽電子),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 27aRE-1 Cs蒸着したFe及びMoからのポジトロニウム負イオン放出(27aRE X線・粒子線(陽電子),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 20pXB-6 タングステン表面からのポジトロニウム負イオンの自発的放出(20pXB 表面界面ダイナミクス,領域9,領域4合同招待講演,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 26pYS-6 陽電子衝撃によるIn及びSnのL-X線生成断面積の測定(X線・粒子線(陽電子),領域10(誘電体, 格子欠陥, X線・粒子線, フォノン物性))
• 25aRH-5 ポジトロニウム負イオンの光脱離実験3(25aRH 原子分子,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
• 29p-ZE-5 C_/C_パウダー中の陽電子寿命
• 27aZB-10 陽電子衝突によるHeの全断面積測定2(原子分子,領域1,原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理)
• 27pSL-5 陽電子衝突によるHeの全断面積測定(27pSL 原子分子,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
• 23pWD-4 タングステン表面を用いたポジトロニウム負イオンの生成(23pWD 原子・分子,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
• 25aXB-3 タングステン表面からのポジトロニウム負イオンの放出(25aXB 陽電子消滅・コンプトン散乱,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 25pGZ-10 反水素合成実験における、反陽子入射による陽電子雲形状の変化(25pGZ プラズマ基礎(乱流・非線形現象・非中性プラズマ),領域2(プラズマ基礎・プラズマ科学・核融合プラズマ・プラズマ宇宙物理))
• 27pRA-6 反水素合成に向けた前段陽電子蓄積装置での陽電子の準備(27pRA 原子分子(エキゾチックアトム・陽電子),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
• 27pRA-5 基底状態反水素原子の偏極ビーム生成(27pRA 原子分子(エキゾチックアトム・陽電子),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
• 27pRA-4 反水素原子消滅信号の検出と検出効率の見積もり(27pRA 原子分子(エキゾチックアトム・陽電子),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
• 27pRA-3 カスプトラップ中での反水素の生成(27pRA 原子分子(エキゾチックアトム・陽電子),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
• 27pRA-1 反水素原子合成に向けたカスプトラップ中における高密度陽電子雲の生成(27pRA 原子分子(エキゾチックアトム・陽電子),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
• 25aGAB-2 カスプトラップ法による低エネルギー反水素合成と陽電子の輸送・制御(25aGAB ビーム源・フォトカソード,ビーム物理領域)
• 25pGZ-11 カスプトラップ中での陽電子温度測定(25pGZ プラズマ基礎(乱流・非線形現象・非中性プラズマ),領域2(プラズマ基礎・プラズマ科学・核融合プラズマ・プラズマ宇宙物理))
• 27pRA-9 ポジトロニウム負イオンの光脱離実験4(27pRA 原子分子(エキゾチックアトム・陽電子),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
• 27pRA-8 陽電子衝突によるHe, Neの全断面積測定(27pRA 原子分子(エキゾチックアトム・陽電子),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
• 25aGAB-1 ポジトロニウム負イオンの光脱離を利用したエネルギー可変ポジトロニウムビームの生成(25aGAB ビーム源・フォトカソード,ビーム物理領域)
• 最近の研究から 最も軽い三体束縛系 : ポジトロニウム負イオンの研究
• 最も軽い三体束縛系 : ポジトロニウム負イオンの研究(最近の研究から)
• 最も軽い三体束縛系 : ポジトロニウム負イオンの研究
• 24aAD-12 基底状態反水素原子の偏極ビーム生成の計算(24aAD 電子・陽電子・ポジトロニウム,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
• 24aAD-10 カスプトラップから引き出されたスピン偏極反水素原子ビーム検出のための反水素検出器の開発(24aAD 電子・陽電子・ポジトロニウム,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
• 24aAD-9 非均一磁場トラップ中における陽電子雲圧縮の振動共鳴構造依存性(24aAD 電子・陽電子・ポジトロニウム,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
• 24pCE-3 ポジトロニウム負イオンの光脱離によるエネルギー可変ポジトロニウムビームの生成(24pCE X線・粒子線(陽電子),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 24aAD-5 ポジトロニウム負イオンの光脱離断面積測定(24aAD 電子・陽電子・ポジトロニウム,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
• 25aGB-8 P_S^-の光脱離を利用したエネルギー可変ポジトロニウムピームの開発(25aGB 光源・ビーム源・ビーム診断・真空,ビーム物理領域)
• 24aAD-3 陽電子衝突によるNeの全断面積測定(24aAD 電子・陽電子・ポジトロニウム,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
• 3.低速反粒子ビーム生成(反水素合成から反水素物理へ-反陽子,陽電子の冷却・中性化とトラップ-)
• 20pAG-7 アルカリ金属を蒸着したタングステン表面からのミュオニウム放出実験1(20aAG X線・粒子線(ミュオン),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 12pSG-7 J-PARC MUSEにおけるミュオニウム生成実験のための陽電子飛跡検出器の開発(12pSG 素粒子実験領域,実験核物理領域合同,素粒子実験核物理測定器合同セッション(半導体・トラッキング・他),素粒子実験領域)
• 18pFN-10 消滅γ線-イオン同時計測法によるTiO_2表面からの陽電子刺激イオン脱離の観測(18pFN 表面界面ダイナミクス,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 29aXZB-6 KEK低速陽電子実験施設におけるビームライン整備と新しい測定装置(29aXZB 領域10,ビーム物理領域合同 X線・粒子線(電子線・陽電子),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 29aXZB-5 加熱した多結晶タングステン表面から放出したポジトロニウムの飛行時間測定(29aXZB 領域10,ビーム物理領域合同 X線・粒子線(電子線・陽電子),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 26pXZB-2 アルカリ金属を蒸着したタングステン表面からのミュオニウム放出実験2(26pXZB 領域10,ビーム物理領域合同 X線・粒子線(ミュオン),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 26pEF-9 アルカリ金属を蒸着したタングステンを用いたポジトロニウム負イオンの生成とその応用(26pEF プラズマ基礎(強結合系,非中性プラズマ,イオン源),領域2(プラズマ基礎・プラズマ科学・核融合プラズマ・プラズマ宇宙物理))
• 29aXZB-4 リチウムを蒸着したタングステン表面からのポジトロニウム負イオンの放出(29aXZB 領域10,ビーム物理領域合同 X線・粒子線(電子線・陽電子),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 29pED-4 陽電子衝突によるArの全断面積測定(29pED 原子分子(電子・陽電子),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
• 26aEG-9 BGOを用いた反水素ビーム検出器の開発I(26aEG 原子分子(エキゾチックアトム),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
• 26aEG-8 反水素原子ビーム生成におけるAutoresonance法(26aEG 原子分子(エキゾチックアトム),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
• 26aEG-7 カスプトラップを用いた反水素原子ビーム生成実験(26aEG 原子分子(エキゾチックアトム),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
• 26pXZB-3 高計数率耐性を備えた腸電子飛跡検出器の開発およびJ-PARCにおけるミューオンg-2/EDM精密測定実験のためのミューオニウム生成標的の研究(26pXZB 領域10,ビーム物理領域合同 X線・粒子線(ミュオン),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 26pXZB-3 高計数率耐性を備えた陽電子飛跡検出器の開発およびJ-PARCにおけるミューオンg-2/EDM精密測定実験のためのミューオニウム生成標的の研究(26pXZB 領域10,ビーム物理領域合同 X線・粒子線(ミュオン),ビーム物理領域)
• 26pXZB-2 アルカリ金属を蒸着したタングステン表面からのミュオニウム放出実験2(26pXZB 領域10,ビーム物理領域合同 X線・粒子線(ミュオン),ビーム物理領域)
• 27aRF-8 高計数率耐性を備えた陽電子飛跡検出器の開発およびJ-PARCにおけるミューオンg-2/EDM精密測定実験のためのミューオニウム生成標的の研究(27aRF 素粒子実験領域,実験核物理領域,理論核物理領域,ビーム物理領域合同 J-PARCと原子核素粒子実験,素粒子実験領域)
• 26aEG-4 ポジトロニウム負イオンの光脱離を利用したエネルギー可変ポジトロニウムビームの生成とその特性評価(26aEG 原子分子(エキゾチックアトム),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
• 29aXZB-6 KEK低速陽電子実験施設におけるビームライン整備と新しい測定装置(29aXZB 領域10,ビーム物理領域合同 X線・粒子線(電子線・陽電子),ビーム物理領域)
• 29aXZB-5 加熱した多結晶タングステン表面から放出したポジトロニウムの飛行時間測定(29aXZB 領域10,ビーム物理領域合同 X線・粒子線(電子線・陽電子),ビーム物理領域)
• 26pEF-4 反水素ビーム生成における陽電子源の開発(26pEF プラズマ基礎(強結合系,非中性プラズマ,イオン源),領域2(プラズマ基礎・プラズマ科学・核融合プラズマ・プラズマ宇宙物理))
• 26aEG-10 BGOを用いた反水素ビーム検出器の開発II(26aEG 原子分子(エキゾチックアトム),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
• 29aXZB-4 リチウムを蒸着したタングステン表面からのポジトロニウム負イオンの放出(29aXZB 領域10,ビーム物理領域合同 X線・粒子線(電子線・陽電子),ビーム物理領域)
• 26aEG-3 Na/W(100)透過型標的を用いたPS^-の放出(26aEG 原子分子(エキゾチックアトム),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
• 21aSJ-3 高計数率耐性を備えた陽電子飛跡検出器の開発およびJ-PARCにおける真空中でのミューオニウム生成実験(学際・応用・加速器・ターゲット・イオン源,実験核物理領域)
• 30pCH-6 陽電子蓄積型パルス化装置を用いたポジトロニウムビームの開発(30pCH 原子分子(エキゾチックアトム),領域1(原子分子・量子エレクトロニクス・放射線))
• 28pAL-11 セシウムを蒸着した多結晶タングステンから放出されるポジトロニウムの飛行時間スペクトル(28pAL X線・粒子線(電子線,陽電子),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 30pCH-1 超微細構造分光のための反水素原子ビーム生成(30pCH 原子分子(エキゾチックアトム),領域1(原子分子・量子エレクトロニクス・放射線))

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク