微細CMOSテクノロジによる広帯域低雑音増幅器の設計(ポスター講演,ポスターセッション,学生・若手技術者育成のための研究会)
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概要
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ユビキタス社会の広がりとともに、多種多様な無線通信システムの利用が増えてきており、様々な周波数帯に対応できる統合無線プラットフォームの実現が望まれている。本報告では、このような将来無線システムに対応する広帯域な低雑音増幅器(LNA)を検討した。提案するLNAはInductor-lessの回路トポロジを採用することにより小型化が可能であり、かつ多段構成を用いる事によって、雑音指数、利得、線形性および入力マッチングをほぼ独立に設計することができる。本LNAはCMOS65nmプロセスを用いて設計を行い、0.3〜2.5GHz間の広帯域な周波数帯域において、利得17.5dB、NF3.3dB以下、IIP38.4dBm以上、入力側リターンロス(S11)-8dB以下、1.2V電圧で消費電力は25mWと良好な設計結果を得た。またInductor-lessにすることにより、チップ面積は0.15mm^2と小型化を実現した。
- 2011-12-08
著者
-
加保 貴奈
Ntt
-
桝井 昇一
東北大学 電気通信研究所
-
加保 貴奈
NTT未来ねっと研究所
-
パトリック ベン
東北大学工学部
-
桝井 昇一
東北大学工学部
-
パトリック ベン
東北大学
-
加保 貴奈
NTTみらいねっと研究所
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