化合物半導体導波路を用いた波長変換素子の進展(アクティブデバイスと集積化技術、一般「材料デバイスサマーミーティング」)
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概要
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AlGaAs導波路を用いた1.55μm帯波長変換素子について報告する。周期空間反転AlGaAs導波路は、AlGaAs低温MBE成長を導入することにより高品質化でき、AlGaAs導波路QPMデバイスにおける最高の規格化変換効率970%/W-cm^2を達成した。新しく提案した高屈折率差扁平AlGaAs導波路で複屈折位相整合第二高調波発生が初めて実現できた。モード位相整合と4-擬似位相整合を組み合わせた高屈折率差AlGaAs折り畳み導波路を新たに提案した。
- 2011-06-23
著者
-
近藤 高志
東大
-
近藤 高志
Univ. Tokyo Tokyo Jpn
-
近藤 高志
東京大学工学部マテリアル工学科
-
松下 智紀
東京大学工学部マテリアル工学科
-
金 泰雄
東京大学工学部
-
近藤 高志
東京大学工学部
-
松下 智紀
東京大学工学部
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