化合物半導体の副格子交換エピタキシーとその波長変換素子への応用
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概要
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ドメイン反転した化合物半導体をエピタキシャルに成長する技術を新たに提案した。基板とエピタキシャル膜の間に極薄いN族半導体の中間層を挿入することにより, 副格子交換した, すなわち空間反転したエピタキシャル膜を成長することができる。この副格子交換エピタキシーをGaAs/Si/GaAs(100)の系で実際に適用し, 実際に空間反転が起こっていることを確認した。現状では, この副格子交換エピタキシーはアンチフェイズドメインの自己消滅によって実現しているものと考えられる。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-10-14
著者
-
近藤 高志
東大
-
近藤 高志
Univ. Tokyo Tokyo Jpn
-
近藤 高志
東京大学工学部マテリアル工学科
-
黄 晋二
東京大学工学部物理工学科
-
伊藤 良一
明治大理工:crest
-
伊藤 良一
東京大学工学部物理工学科
-
近藤 高志
東京大学工学部
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