近藤 高志 | 東京大学工学部

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  東大

• 伊藤 良一

  明治大理工:crest

• 伊藤 良一

  東京大学工学部物理工学科

• 松下 智紀

  東京大学工学部

• 黄 晋二

  東京大学工学部物理工学科

• 松下 智紀

  東京大学工学部マテリアル工学科

• 近藤 高志

  東京大学大学院 工学系研究科マテリアル工学専攻

• 金 泰雄

  東京大学工学部

• 伊藤 良一

  明治大学理工学部物理学科

• 庄司 一郎

  中央大学 理工学部電気電子情報通信工学科

• 伊藤 良一

  明治大学理工学部

• 太田 生馬

  東京大学大学院 工学系研究科マテリアル工学専攻

• 松下 智紀

  東京大学大学院 工学系研究科マテリアル工学専攻

• 庄司 一郎

  東京大学工学部物理工学科

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著作論文

• AlGaAs系擬似位相整合デバイス-化合物半導体の副格子交換エピタキシー-
• 中赤外領域半導体擬似位相整合波長変換デバイス
• 03aB08 非線形光集積回路のための結晶成長技術と光電子集積回路への展開(光・電子集積回路(OEIC)時代をひらく結晶成長技術,ナノ・エピ分科会シンポジウム,第36回結晶成長国内会議)
• 化合物半導体の副格子交換エピタキシーとその波長変換素子への応用
• 化合物半導体の副格子交換エピタキシーとその波長変換素子への応用
• 無機・有機ペロブスカイト -量子井戸構造を持つ物質の光物性-
• 非線形感受率の絶対値スケール
• 非線形光導波路における波長変換の基本原理
• 化合物半導体導波路を用いた波長変換素子の進展(アクティブデバイスと集積化技術、一般「材料デバイスサマーミーティング」)
• 化合物半導体導波路を用いた波長変換素子の進展(アクティブデバイスと集積化技術、一般「材料デバイスサマーミーティング」)

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