AlGaAs系擬似位相整合デバイス-化合物半導体の副格子交換エピタキシー-
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概要
著者
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近藤 高志
東大
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近藤 高志
Univ. Tokyo Tokyo Jpn
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近藤 高志
東京大学工学部マテリアル工学科
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黄 晋二
東京大学工学部物理工学科
-
伊藤 良一
明治大学理工学部物理学科
-
伊藤 良一
明治大理工:crest
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伊藤 良一
明治大学理工学部
-
近藤 高志
東京大学工学部
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