3C-SiC-OI基板上でのMOSゲート絶縁膜のプロセス依存性(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
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概要
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3C-SiC-OI基板上にMOS構造を作製し,そのゲート絶縁膜の特性を評価した.従来SiC上に熱酸化により形成されたSiO_2膜はCが混在するために,その絶縁,界面特性が十分でない事が知られている.今回は単結晶SiC基板に比ペて比較的安易に製造されることが期待される3C-SiC-OI基板上で,熱酸化に加えて,CVD法による堆積,Poly-Si堆積後の熱酸化の手法を比較し,このうち,Poly-Siを熱酸化したサンプルでは絶縁特性の向上を得る事が出来た.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2011-01-06
著者
-
中尾 基
九州工業大学工学部
-
中尾 基
九州工業大学総合システム研究科
-
横山 圭祐
九州工業大学マイクロ化総合技術センター
-
中村 浩之
九州工業大学マイクロ化総合技術センター
-
大西 克典
九州工業大学マイクロ化総合技術センター
-
中尾 基
九州工業大学大学院工学研究院
-
中村 浩之
JA廣島総合病院外科
-
中尾 基
九州工業大学大学院工学研究
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