大西 克典 | 九州工業大学マイクロ化総合技術センター

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概要

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• 同名の論文著者
• 九州工業大学マイクロ化総合技術センターの論文著者

関連著者

• 中尾 基

  九州工業大学工学部

• 中尾 基

  九州工業大学総合システム研究科

• 横山 圭祐

  九州工業大学マイクロ化総合技術センター

• 中村 浩之

  九州工業大学マイクロ化総合技術センター

• 大西 克典

  九州工業大学マイクロ化総合技術センター

• 中尾 基

  九州工業大学大学院工学研究院

• 中村 浩之

  JA廣島総合病院外科

• 中尾 基

  九州工業大学大学院工学研究

著作論文

• 3C-SiC-OI基板上でのMOSゲート絶縁膜のプロセス依存性(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
• 3C-SiC-OI基板上でのMOSゲート絶縁膜のプロセス依存性(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)

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