300mmウエハサイズCMOSイメージセンサ(固体撮像技術および一般)
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概要
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0.25μm 1P3M CMOSプロセスを用いて,300mmシリコンウエハに202mm×205mmのCMOSイメージセンサを開発した.画素サイズ:160μm^2,画素数:160万画素であり,画素内電圧ゲインアンプ,列差動読み出し回路を搭載している.これにより,高感度(25Me^-/lx/s),低ノイズ(13e^-rms)を実現しており,低輝度でも鮮明な画像を撮ることができる.本報告では,300mmウエハサイズCMOSイメージセンサの概要およびセンサ性能について述べる.
- 2011-03-15
著者
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高橋 秀和
キヤノン株式会社
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高橋 秀和
キヤノン(株)半導体デバイス開発センター
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高橋 秀和
キヤノン株式会社デバイス開発本部
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井上 俊輔
キヤノン(株)半導体デバイス開発センター
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菊池 伸
キヤノン株式会社半導体設計部
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井上 俊輔
キヤノン株式会社デバイス開発本部
-
小黒 康裕
キヤノン株式会社デバイス開発本部
-
山下 雄一郎
キヤノン株式会社デバイス開発本部
-
藤田 雅人
キヤノン株式会社デバイス開発本部
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平山 聡
キヤノン株式会社デバイス開発本部
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加納 大幹
キヤノン株式会社デバイス開発本部
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橋本 栄
キヤノン株式会社デバイス開発本部
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門間 玄三
キヤノン株式会社デバイス開発本部
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菊池 伸
キヤノン株式会社デバイス開発本部
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井上 俊輔
キヤノン株式会社 デバイス開発本部 半導体デバイス製品開発センター
-
山下 雄一郎
キヤノン株式会社 デバイス開発本部
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菊池 伸
キヤノン株式会社 デバイス開発本部
-
井上 俊輔
キヤノン株式会社
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