1.5トランジスタ画素構成を用いた10bitディジタル出力VGAフォーマットCMOSイメージセンサ(アナログ・ディジアナ・センサ,通信用LSI)
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概要
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完全電荷転送型埋め込みフォトダイオードを用いた1.5トランジスタ画素構成による3.9μm画素ピッチ10bitディジタル出力CMOSイメージセンサの開発を行った.画素共有化とFD変調方式を用いた画素アーキテクチャにより,一画素あたりのトランジスタ数と配線数を大幅に減らすことでCMOSイメージセンサの画素サイズの縮小を可能にした.このイメージセンサは,330μVのRNと50pA/cm^2の暗電流密度(45℃)を達成した.また,新たに薄膜平坦化工程を導入した0.35μm 1P 2M CMOSプロセスにより,光学特性の改善も同時に実現した.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2004-07-06
著者
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高橋 秀和
キヤノン(株)半導体デバイス開発センター
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井上 俊輔
キヤノン(株)半導体デバイス開発センター
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佐藤 俊明
キヤノン(株)半導体デバイス開発センター
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木下 正邦
キヤノン(株)半導体デバイス開発センター
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森田 一路
キヤノン(株)半導体デバイス開発センター
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白井 誉浩
キヤノン(株)半導体デバイス開発センター
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木村 隆之
キヤノン(株)半導体デバイス開発センター
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譲原 浩
キヤノン(株)半導体デバイス開発センター
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井上 俊輔
キヤノン株式会社 デバイス開発本部 半導体デバイス製品開発センター
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井上 俊輔
キヤノン(株)デバイス開発本部 半導体デバイス開発センター
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