近傍電磁界を利用する無線機器の植込み型デバイスへの電磁干渉評価法(若手研究者発表会)
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概要
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本研究は近傍電磁界を利用する無線機器の植込み型デバイスへの電磁干渉評価法確立を目的としており,特にBAN(Body Area Network)機器に対する評価法を検討している.評価法を検討するにあたり,総務省が植込み型デバイスへの電磁干渉評価に使用しているトルソーファントムのBAN機器への適用可能性を評価している.本報告では,電界分布が異なる代表的な2種類の送信機に関してFDTD(Finite-Difference Time-Domain)法を用いた数値計算による検討結果を示す.送信機1は人体周辺に,送信機2は送信機近傍に強い電界が生じる特徴を持つ.評価法検討の手順として,実際の人体内およびトルソーファントム内に設置された植込み型デバイスへ励起される電圧を比較評価し,トルソーファントムの適用性を確認した.送信機1および2に関して,トルソーファントム内および人体内のデバイスへ励起される電圧を数値計算評価した結果,トルソーファントム内のほうが5.7dBおよび3.2dB高くなり,両送信機に関してトルソーファントムを適用可能なことを示した.
- 2010-07-08
著者
-
石原 哲
株式会社nttドコモ先進技術研究所
-
大西 輝夫
株式会社nttドコモ先進技術研究所
-
井山 隆弘
株式会社NTTドコモ先進技術研究所
-
石原 哲
株式会社エヌ・ティ・ティ・ドコモ先進技術研究所
-
井山 隆弘
株式会社エヌ・ティ・ティ・ドコモ先進技術研究所
-
大西 輝夫
株式会社エヌ・ティ・ティ・ドコモ先進技術研究所
-
垂澤 芳明
株式会社エヌ・ティ・ティ・ドコモ先進技術研究所
-
大西 輝夫
株式会社nttドコモ
-
石原 哲
株式会社nttドコモ
-
大西 輝夫
(株)nttドコモ先進技術研究所
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