スルーレート改善の適応バイアス回路を有する広スィング・低ゲインエラー電圧バッファ(若手研究会)
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概要
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本稿では、適応バイアスを有する電圧バッファについて述べる。適応バイアス回路を導入することにより、低消費電力及び高スルーレートの特性を有する電圧バッファ回路を提案し、0.35μmの標準CMOSプロセスによるシミュレーションの結果により、電源電圧3.3Vにおいて、提案回路の出力電圧範囲は3.0V、ゲインエラーは-51.5mdB、全高調波歪(THD)は-53.0dB、そして、立ち上がり及び立下りのスルーレートはそれぞれ58.9V/μs、5.4V/μsであることが確認できた。
- 2009-12-07
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