テラヘルツ電磁波による半導体ウェーハの電気的特性の計測・評価
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概要
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Using a time-domain spectroscopic technique based on the generation and detection of a collimated beam of subpicosecond broadband terahertz pulses, we measured frequency-dependent electrical properties of doped silicon in the terahertz wave range of 0.1-1.2THz. These results are well fit by Drude theory. It is shown that carrier density can be evaluated well by the suggested method.
- 2010-03-25
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