InGaAsの高電界輸送特性の解析

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概要

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• InGaAs is one of the most promising compound semiconductors for the application in the field of high speed signal processings. In order to carry out the efficient design of such InGaAs devices, it is nesesarry to know the velocity-field characteristics and diffusion constant in InGaAs. Ensemble monte carlo simulations are carried out to ascertain the velocity-field characteristics and magnitudes of the parallel and perpendicular diffusion constants in InGaAs.

• 福山大学の論文

著者

• 相島 亜洲雄

  福山大学工学部電子・電気工学科

• 坂井 英幸

  福山大学工学部

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