InAlAs/InGaAs/InAlAsの高電界輸送特性

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概要

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• High field transport properties in InAlAs-InGaAs-InAlAs double hetero structures are clarified. First, wave functions in InGaAs layers are calculated self consistently. Then, various scattering rates such as acoustic phonon, polaroptical phonon, inter-valley phonon, impurity, alloy scatterings are calculated using electron wave functions. Real space ensemble Monte Carlo simulations are performed to clarify the velocity-field characteristics and diffusion constants. Such results are useful for designing the InGaAs HEMT.

• 福山大学の論文

著者

• 相島 亜洲雄

  福山大学工学部電子・電気工学科

• 坂井 英幸

  福山大学工学部

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