26aE04 ナノジェットプローブ法による位置制御InAs量子ドットの作製(ナノエピシンポジウム,第34回結晶成長国内会議)
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概要
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We have demonstrated a new site-control technology to form InAs quantum dots with a specially designed cantilever, referred to as the Nano-Jet Probe. Using this probe, uniform In nano-dot arrays were reproducibly formed on a GaAs MBE grown surface. These In nano-dot arrays were crystallized to InAs QD arrays by subsequent annealing with irradiation of arsenic flux.
- 日本結晶成長学会の論文
- 2004-08-25
著者
-
中村 有水
技術研究組合フェムト秒テクノロジー研究機構:熊本大学工学部
-
中村 均
技術研究組合フェムト秒テクノロジー研究機構
-
大河内 俊介
技術研究組合 フェムト秒テクノロジー研究機構
-
大河内 俊介
フェムト秒テクノロジー研究機構
-
中村 有水
フェムト秒テクノロジー研究機構
-
中村 均
フェムト秒テクノロジー研究機構
-
浅川 潔
フェムト秒テクノロジー研究機構
-
浅川 潔
筑波大学
-
大河内 俊介
技術研究組合フェムト秒テクノロジー研究機構
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