STMを用いた精密位置制御量子ドット
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概要
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走査トンネル顕微鏡(STM)をナノリソグラフィのツールとした新たな位置制御量子ドット作製法を提案した。本作製法では、STMを用いて作製した微小堆積物をGaAs等で埋め込むことにより生じる微小孔を起点として、その直上にMBE成長による自己組織化InAs量子ドットを形成する。この方法により隣接間隔15nmのドット対を作製し、本作製法が、任意のドット配置に対応できるナノメータレベルの高い位置制御精度と優れた選択性を持つことを示した。また、個別ドットに着目してドット形成過程を段階的にSTM観察することにより、ウェッティングレイヤの膜厚の自己停止機構、SKモードに基づくウェッティングレイヤ形成後のドット生成過程、微小孔平坦化の過程を確認した。これらの結果をもとに、本位置制御量子ドットの形成機構を考察した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2000-02-10
著者
-
中村 均
技術研究組合フェムト秒テクノロジー研究機構
-
中村 均
フェムト秒テクノロジー研究機構
-
浅川 潔
フェムト秒テクノロジー研究機構
-
河本 滋
技術研究組合フェムト秒テクノロジー研究機構
-
石川 知則
技術研究組合フェムト秒テクノロジー研究機構
-
河本 滋
フェムト秒テクノロジー研究機構
-
石川 知則
フェムト秒テクノロジー研究機構
-
浅川 潔
筑波大学
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