大規模光再構成型ゲートアレイにおけるホログラムメモリの不良耐性(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
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概要
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今日,通信衛星やロケットなどに宇宙放射線に強い耐性を持ち,かつ高性能であるデバイスが求められており,その実現に向けて光再構成型ゲートアレイの研究が進められている.光再構成型ゲートアレイはホログラムメモリ,レーザアレイ,ゲートアレイVLSIから構成されており,光学的に並列プログラミングが可能な事から,どのような箇所に故障が生じても確実に復旧できる特徴を持っている.この高い不良耐性は,ホログラムメモリの高いロバスト性に基づく.本稿では,ダイナミックアーキテクチュアにおいてもその高い不良耐性が実現できることを示す.
- 2008-11-06
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