Fe/GaAs接合における界面電子状態とスピン注入(スピンエレクトロニクス)

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概要

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• Spin dependence of the conductance, that is, the spin-injection efficiency, of photo-excited electrons has been calculated for Fe/GaAs with a Schottky barrier by using a realistic tight-binding model. The conductance calculated by taking k_|| summation, where k_|| is the momentum of tunneling electrons parallel to layer planes, has been found to be strongly dependent on the height of the Schottky barrier, and the spin dependence of conductance may change the sign. We found that the latter result is caused by inter facial states near the contact between Fe and GaAs layers.

• 社団法人日本磁気学会の論文
• 2008-05-01

著者

• 井上 順一郎

  名古屋大学工学研究科

• 井上 順一郎

  国立大学法人 名古屋大学大学院 工学研究科

• 伊藤 博介

  関大システム理工

• 本多 周太

  名大工

• 本多 周太

  名古屋大学

• 伊藤 博介

  関西大学システム理工学部

• 井上 順一郎

  名古屋大学

• 井上 順一郎

  名古屋大学大学院工学研究科

• 井上 順一郎

  名古屋大学大学院工学研究科マテリアル理工学専攻

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