ホイスラー合金を用いた強磁性トンネル接合のTMRに対するスピン反転散乱の効果(スピンエレクトロニクス)

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概要

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• We calculated the temperature and voltage dependences of the tunnel magnetoresistance (TMR) ratio for ferromagnetic junctions with Heusler alloys using a phenomenological model that takes into account the spin-flip tunneling process. We simplified the density of states calculated with first principles and used it to calculate TMR. We found that spin-flip tunneling makes the dependence of TMR on voltage large and asymmetric. The relevance of the calculated results to experimental analysis is argued.

• 社団法人日本磁気学会の論文
• 2008-05-01

著者

• 井上 順一郎

  名古屋大学工学研究科

• 井上 順一郎

  国立大学法人 名古屋大学大学院 工学研究科

• 伊藤 博介

  関大システム理工

• 伊藤 博介

  関西大学システム理工学部

• 高田 一朗

  名古屋大学大学院工学研究科

• 高田 一朗

  名大工

• 井上 順一郎

  名古屋大学

• 井上 順一郎

  名古屋大学大学院工学研究科

• 井上 順一郎

  名古屋大学大学院工学研究科マテリアル理工学専攻

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