光再構成型ゲートアレイのホログラムメモリに対する不良耐性解析(動的再構成技術とその応用,FPGA応用及び一般)

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概要

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近年,高速な情報処理を可能とする光再構成型ゲートアレイが開発されている.この光再構成ゲートアレイはレーザアレイ,ホログラムメモリ,光書き込みゲートアレイVLSIから構成され,ホログラムメモリ内に多数のコンテキスト情報を蓄えることが可能で,また高速な再構成が可能である.また別の特徴として,光再構成型ゲートアレイでは光による完全並列なプログラミングが可能なことからゲートアレイの不良・故障部位を回避して使用することが可能である.しかし,この回避はホログラムメモリから正しい回避情報が書き込まれることが前提であり,ホログラムメモリそのものには高い不良耐性が必要となる.本稿では,そのホログラムメモリにインパスルノイズ,ガウスノイズを印加し,光再構成に与える影響について報告する.
社団法人電子情報通信学会の論文
2008-01-10

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