ゲート接地有機電界効果トランジスタの1MHz動作(有機材料・デバイス(有機トランジスタ,化学センサなど)・一般)
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概要
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ゲート接地有機電界効果トランジスタにおいて1MHzで10^3のオンオフ比をとることに成功したので報告する。これはソース・ドレイン電極幅を削減し、ソース・ドレイン電極とゲート電極の間の構造的な重なりを低減したことでオフ状態の特性を改善したことによる。また、ゲート接地有機トランジスタの周波数応答に関して、チャネル移動度の向上やチャネル長の微細化だけではなく、各電極間の寄生容量の削減が重要であることを議論する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2008-01-04
著者
-
関谷 毅
東京大学
-
染谷 隆夫
東京大学
-
関谷 毅
東京大学工学系研究科
-
加藤 祐作
東京大学工学系研究科
-
染谷 隆夫
東京大学工学系研究科
-
関谷 毅
東京大学大学院工学系研究科
-
関谷 毅
東京大学大学院工学系研究科電気系工学専攻
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