有機トランジスタ構造を用いた不揮発性強誘電体メモリ(有機材料・デバイス(有機トランジスタ,化学センサなど)・一般)
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概要
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有機材料を用いてプラスチック基板上に大気安定な強誘電体メモリトランジスタを作製した。強誘電体材料フッ化ビニリデン/三フッ化エチレン共重合体をゲート絶縁膜に用いることによりトランジスタのヒステリシスを制御し、ドレイン電流が流れる状態"1"と流れない状態"0"の双安定状態を実現した。有機メモリは従来より大気中での劣化が問題となってきた。本研究では、パリレン絶縁膜および金属膜による積層封止を施すことで、大気中でのメモリ保持時間を大幅に改善することに成功した。作製したメモリトランジスタは大気中で1000以上の高い"1"/"0"比を示し、窒素雰囲気の場合には、電源を切ってから25日後でも100以上の高い"1"/"0"比を示した。大気中でメモリ保持測定を行った結果、15日後でも"1"/"0"比は500以上であった。この結果を窒素雰囲気で行った結果と比べたとき、変化量は7%以内であった。このことから、本研究で作製した有機デバイスは、大気中において、きわめて優れた不揮発性メモリであることを確認した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2008-01-04
著者
-
関谷 毅
東京大学
-
染谷 隆夫
東京大学
-
関谷 毅
東京大学工学系研究科
-
染谷 隆夫
東京大学工学系研究科
-
関谷 毅
東京大学大学院工学系研究科
-
財津 光一郎
東京大学工学系研究科量子相エレクトロニクス研究センター
-
石部 清志郎
東京大学工学系研究科量子相エレクトロニクス研究センター
-
関谷 毅
東京大学大学院工学系研究科電気系工学専攻
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