グラファイト層間化合物の陽電子消滅法による研究(基研短期研究計画『層状複合化合物の秩序化と乱れ-層間化合物,超伝導化合物,量子反強磁性体-』,研究会報告)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
この論文は国立情報学研究所の電子図書館事業により電子化されました。
- 物性研究刊行会の論文
- 1989-12-20
著者
関連論文
- 28pYK-4 陽電子寿命-運動量相関計測によるアルカリ金属吸蔵石英ガラスの研究(X線・粒子線(陽電子),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 19pYK-8 Cd-Ca系準結晶及び近似結晶の低温領域における陽電子寿命変化(準結晶(構造,電子物性,表面,空孔),領域6(金属,超低温,超伝導・密度波))
- 3p-C-5 陽電子消滅法によるAl-Ge合金の析出
- 26aRC-2 環境に優しい低融点合金SnBi性能劣化の微視的研究(環境物理,領域13,物理教育,物理学史,環境物理)
- 27aRE-6 陽電子消滅法によるナノ結晶材料中の核生成および成長過程の研究(27aRE X線・粒子線(陽電子),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 21pWA-6 陽電子寿命 : 運動量相関計測による高分子中のナノ空孔解析(21pWA X線・粒子線(電子線),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 19pXB-11 鉄ナノ結晶材料中の粒子間構造と磁気特性(格子欠陥・ナノ構造(半導体・ナノ粒子・表面界面),領域10,誘導体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 3a-C-9 陽電子消滅法による加工アルミニウムのStage III温度領域における初期回復過程の研究
- 3a-C-8 空孔集合体初期形成ステージの評価と複空孔の役割
- 3a-C-7 ^Hfをプローブとした摂動角相関(PAC)及び陽電子消滅によるAl-Hf希薄合金の研究
- 11p-L-14 摂動角相関によるAl-Hf希薄合金の研究
- 11p-L-9 高純度アルミニウム金属中の原子空集合体の初期生成過程の陽電子消滅による研究
- 11p-L-8 希薄Al-Ti合金中の原子空孔及びその集合体の陽電子消滅法による研究
- 28a-H-8 Yb核をプローブとしたPAC (摂動角相関法) による格子欠陥の研究
- 28a-H-5 陽電子消滅法によるAl-In希薄合金中の点欠陥の研究
- 28a-H-4 陽電子消滅法によるAl-Si希薄合金中の点欠陥の研究
- 1a-SG-10 面心立方金属中の溶質原子 : 空孔集合体形成の陽電子消滅による研究
- 1a-SG-9 急冷Al-Si合金の陽電子消滅による研究
- 1a-SG-8 PAC(摂動角相関)による急冷Al-Yb希薄合金の格子欠陥の研究
- 30p-T-9 急冷希薄AlおよびCu合金の陽電子消滅法による研究
- 2a-NJ-2 Cu-Ge合金中のGe-Vおよびその集合体の陽電子消滅による研究
- 2a-NJ-1 Al-Sn合金中のSn-Vおよびその集合体の陽電子消滅による研究
- 研究速報 : 陽電子消滅法と高分解能電子顕微鏡法による鋸ナノ結晶の研究
- 30a-F-3 陽電子消滅ドップラー法とライフタイム法による準結晶AlMnの研究
- 30p-RC-8 BaF_2による陽電子寿命の測定
- 1p-M-9 陽電子消滅法による微小空孔集合体の転位ループへのつぶれの評価
- 30a-T-12 Cu-GeおよびAl-Ge合金中の固溶GeとGe-空孔対のNMR Knight Shiftによる研究
- 2p-NJ-1 Geを含む面心立方金属中の格子欠陥のNMRによる研究
- 1a-G-8 Al-GeおよびAl-Si合金のZener Relaxation
- 30p-G-4 Al-Ge合金中の固溶GeおよびGe-空孔対による核磁気共鳴
- 30p-G-3 Cu-Ge合金中の固溶GeおよびCu-空孔対による核磁気共鳴
- 30a-G-5 陽電子消滅法によるCu-Ge合金の時効
- 30a-G-4 陽電子消滅法によるAl-Ge合金中のGeの析出
- 内部摩擦測定装置の製作とその固体物性への応用
- 30a-H-9 共晶型Al合金中での析出と内部摩擦
- 3a-SG-12 急冷Al-Si合金の内部摩擦
- 3a-SG-11 急冷Al-Ge合金の内部摩擦
- 物質吸蔵ポーラスガラスの陽電子消滅
- モンモリロナイト-アルキルアンモニウム層間化合物における陽電子消滅II
- TiO_2超微粒子における陽電子消滅と紫外線照射効果
- ポーラスガラスの物質吸蔵と陽電子消滅
- 29p-B-12 TiO_2超微粒子における陽電子とポジトロニウムの消滅 II
- 2p-YG-1 TiO_2超微粒子における陽電子とポジトロニウムの消滅
- 28p-P-2 ポーラスシリコン中の陽電子とポジトロニウムの消滅
- 29p-B-13 フラーレン化合物の陽電子消滅
- 2p-YG-2 ポーラスガラス中の陽電子消滅II
- 28p-P-1 ポーラスガラス中の陽電子消滅
- 12a-DK-3 ポーラスシリコン中の陽電子消滅とポジトロニュウム生成
- 27p-PSA-18 ポーラスシリコンの陽電子消滅
- 2a-NJ-13 点欠陥近傍の格子振動 II
- 3a-C-6 格子欠陥共鳴モード振動数評価の問題点
- 3a-C-5 点欠陥共鳴モードのソフト化の可能性
- 5a-Q-11 窒化ホウ素中の陽電子消滅
- 中学校における実験技能の指導法の改善とその評価
- ひげ結晶の成長と成長機構
- 17pTJ-15 アルカリ金属をドープしたカーボンナノチューブの陽電子消滅
- 27pXC-11 遷移金属イオンを添加したシリカゲル中の陽電子消滅
- 27a-ZN-6 有機結晶の陽電子消滅 II
- 3p-WB-13 グラファイト・ルビニウム層間化合物の陽電子消滅スペクトラム
- 31a-G-10 低温で中性子照射したAl-Ge合金の回復
- グラファイト層間化合物の陽電子消滅法による研究(基研短期研究計画『層状複合化合物の秩序化と乱れ-層間化合物,超伝導化合物,量子反強磁性体-』,研究会報告)
- 28p-P-3 芳香族分子結晶の陽電子消滅
- 28a-LG-10 BaF_2による陽電子寿命測定(格子欠陥)
- 28p-K-14 陽電子消滅ドップラー法と寿命法による準結晶AlMnの研究(金属)
- 1p-H4-10 放射線に関する教育とその教育材料の開発(物理教育)
- 31a-K3-13 陽電子消滅法によるAl系準結晶合金の研究(金属)
- 31a-E1-3 種々の急冷条件における高純度Alの陽電子消減法によるステージIII温度領域の回復(31a E1 格子欠陥,格子欠陥)
- 31a-E1-8 Al-Hf希薄合金のγ-γ摂動角相関(II)(31a E1 格子欠陥,格子欠陥)
- 3p-D2-3 グラファイト・カリウム層間化合物の陽電子消滅スペクトル(3p D2 半導体(グラファイトインターカレーション・ダイカルゴゲナイド・層状物質),半導体)
- 30p-CM-10 Al-Mn準結晶の陽電子消滅測定(金属)