Xe_2分子線励起用SrGd_4Si_3O_<13>:Tb^<3+>緑色蛍光体の作製と評価(ディスプレイに関する技術全般:LCD(バックライトを含む),PDP,有機/無機EL,CRT,FED,VFD,LEDなどのディスプレイに関するデバイス,部品,材料及び応用技術,発光・非発光型ディスプレイ合同研究会)
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概要
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Xe_2分子線励起用のPDP用緑色蛍光体としてSrGd_4Si_3O_<13>:Tb^<3+>を作製し、発光特性の評価を行った。SrGd_4Si_3O_<13>:Tb^<3+>は、焼成温度1200℃でTb添加濃度15mol%のとき発光強度が最大となり、172nm励起での発光ピーク強度はZn_2SiO_4:Mn^<2+>の約125%を示した。また、SrGd_4Si_3O_<13>:Tb^<3+>はプロセス劣化試験における発光強度の低下は見られず、プラズマ照射後では172nm励起においてZn_2SiO_4:Mn^<2+>の約110%を示した。
- 2007-01-18
著者
-
小林 洋志
徳島文理大学工学部
-
大観 光徳
鳥取大学大学院工学研究科
-
國本 崇
徳島文理大学工学部ナノ物質工学科
-
大観 光徳
鳥取大学 工学部 電気電子工学科
-
小林 洋志
鳥取大学工学部
-
山根 明
鳥取大学 工学部 電気電子工学科
-
中島 康裕
鳥取大学 工学部 電気電子工学科
-
小林 洋志
鳥取大学
-
小林 洋志
鳥取大学大学院工学研究科
-
國本 崇
徳島文理大学理工学部
-
國本 崇
徳島文理大学理工学部ナノ物質工学科
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