VUV励起用緑色蛍光体LnOF:Tb(Ln= Y, La, Gd) の励起特性
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 2010-01-28
著者
-
大観 光徳
鳥取大学大学院工学研究科
-
岩田 雄
鳥取大学大学院工学研究科
-
宮本 快暢
鳥取大学大学院工学研究科
-
國本 崇
徳島文理大学工学部ナノ物質工学科
-
國本 崇
徳島文理大学理工学部
-
國本 崇
徳島文理大学理工学部ナノ物質工学科
関連論文
- VUV励起用緑色蛍光体LnOF:Tb(Ln=Y,La,Gd)の励起特性(発光型/非発光型ディスプレイ)
- RGB蛍光体と近紫外LEDを組み合わせた発光型液晶ディスプレイ : 蛍光体層の励起効率の改善(発光型/非発光型ディスプレイ)
- 近紫外励起用赤色蛍光体CuAlS_2:Mn,Siにおける母体の混晶化による励起特性の改善(発光型/非発光型ディスプレイ)
- 青色無機EL材料Ba_2SiS_4:Ceの成膜・アニール方法の検討(ディスプレイに関する技術全般,LCD(バックライトを含む),PDP,有機/無機EL,CRT,FED,VFD,LEDなどのディスプレイに関するデバイス,部品・材料及び応用技術,発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- 近紫外励起用赤色蛍光体CuAlS2:Mn,Siにおける母体の混晶化による励起特性の改善 (電子ディスプレイ)
- 青緑色発光ZnS:Cu,Cl薄膜蛍光体の作製(ディスプレイに関する技術全般:LCD(バックライトを含む),PDP,有機/無機EL,CRT,FED,VFD,LEDなどのディスプレイに関するデバイス,部品,材料及び応用技術,発光・非発光型ディスプレイ合同研究会)
- Xe_2分子線励起用SrGd_4Si_3O_:Tb^緑色蛍光体の作製と評価(ディスプレイに関する技術全般:LCD(バックライトを含む),PDP,有機/無機EL,CRT,FED,VFD,LEDなどのディスプレイに関するデバイス,部品,材料及び応用技術,発光・非発光型ディスプレイ合同研究会)
- 青色無機EL材料Ba_2SiS_4:Ceの成膜・アニール方法の検討(発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- スピンコーティング法による(Ba,Sr)TiO_3絶縁層を用いた薄膜EL素子の作製とエージング特性の評価
- スピンコーティング法による(Ba,Sr)TiO_3絶縁層を用いた薄膜EL素子の作製とエージング特性の評価(ディスプレイに関する技術全般:LCD(バックライトを含む),PDP,有機/無機EL,CRT,FED,VFD,LEDなどのディスプレイに関するデバイス,部品,材料及び応用技術,発光・非発光型ディスプレイ合同研究会)
- 30pSC-6 スピネル化合物LiMn_2O_4の強磁場ESR II(30pSC フラストレーション系,領域3(磁性,磁気共鳴))
- VUV励起用緑色蛍光体LnOF:Tb(Ln=Y,La,Gd)の励起特性
- RGB蛍光体と近紫外LEDを組み合わせた発光型液晶ディスプレイ : 蛍光体層の励起効率の改善
- Pulsed Laser Deposition 法による硼酸塩蛍光体薄膜の作製
- PDP用青色蛍光体CaMgSi_2O_6 : Eu^におけるGd共添加による発光特性の改善
- Pulsed Laser Deposition法による硝酸塩蛍光体薄膜の作製(発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- PDP用青色蛍光体CaMgSi_2O_6:Eu^におけるGd共添加による発光特性の改善(発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- 複数の希土類元素を添加したCaMgSi_2O_6,を母体とする蛍光体の発光特性(映像入出力および一般)
- VUV励起用緑色蛍光体LnOF:Tb(Ln= Y, La, Gd) の励起特性
- 液相合成法による真空紫外励起用珪酸塩蛍光体の作製
- 紫外発光蛍光体の混合によるCaMgSi_2O_6:Eu蛍光体の真空紫外波長域における励起特性改善の試み
- 液相合成法による真空紫外励起用珪酸塩蛍光体の作製(ディスプレイに関する技術全般,LCD(バックライトを含む),PDP,有機/無機EL,CRT,FED,VFD,LEDなどのディスプレイに関するデバイス,部品・材料及び応用技術,発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- 紫外発光蛍光体の混合によるCaMgSi_2O_6:Eu蛍光体の真空紫外波長域における励起特性改善の試み(ディスプレイに関する技術全般,LCD(バックライトを含む),PDP,有機/無機EL,CRT,FED,VFD,LEDなどのディスプレイに関するデバイス,部品・材料及び応用技術,発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- 新規PDP用蛍光体の開発 (特集 発光材料の新展開)
- 液相合成法による真空紫外励起用珪酸塩蛍光体の作製 (情報ディスプレイ)
- 青緑色発光ZnS:Cu,Cl薄膜蛍光体の作製
- Xe_2分子線励起用SrGd_4Si_3O_:Tb^緑色蛍光体の作製と評価
- 青色蛍光体材料Ba_2SiS_4:Ceにおける発光特性の改善
- Ba_2SiS_4:Ce青色薄膜EL素子の作製と評価
- 青色蛍光体材料Ba_2SiS_4:Ceにおける発光特性の改善(ディスプレイに関する技術全般:LCD(バックライトを含む),PDP,有機/無機EL,CRT,FED,VFD,LEDなどのディスプレイに関するデバイス,部品,材料及び応用技術,発光・非発光型ディスプレイ合同研究会)
- Ba_2SiS_4:Ce青色薄膜EL素子の作製と評価(ディスプレイに関する技術全般:LCD(バックライトを含む),PDP,有機/無機EL,CRT,FED,VFD,LEDなどのディスプレイに関するデバイス,部品,材料及び応用技術,発光・非発光型ディスプレイ合同研究会)
- Xe2分子線励起用SrGd4Si3O13:Tb[3+]緑色蛍光体の作製と評価 (情報ディスプレイ)
- フラット・パネル・ディスプレイ用蛍光体 (特集 ディスプレイを支えるキーマテリアル)
- 青色蛍光体(Sr,Ba)_3MgSi_2O_8:Eu^の励起発光特性
- 青色蛍光体(Sr,Ba)_3MgSi_2O_8:Eu^の励起発光特性(ディスプレイに関する技術全般 : LCD(バックライトを含む), PDP, 有機/無機EL, CRT, FED, VFD, LEDなどのディスプレイに関するデバイス, 部品・材料及び応用技術, 発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- Xe_2分子線励起用CaLa_4Si_3O_:Tb^緑色PDP蛍光体の作製と評価
- Xe_2分子線励起用CaLa_4Si_3O_:Tb^緑色PDP蛍光体の作製と評価(発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- 工業用ダイヤモンドのフェムト秒レーザー加工とその解析
- 蛍光体の原理,技術開発史,現状と課題(光に関わる材料の世界 その1 : 多彩な固体発光材料の世界)
- RGB蛍光体と近紫外LEDを組み合わせた発光型液晶ディスプレイ : 蛍光体層の励起効率の改善
- Pulsed Laser Deposition 法による硼酸塩蛍光体薄膜の作製
- PDP用青色蛍光体CaMgSi_2O_6 : Eu^におけるGd共添加による発光特性の改善
- 青色蛍光体材料Ba_2SiS_4:Ceにおける発光特性の改善
- 青色発光CaMgSi_2O6:Eu^蛍光体を用いた試作PDPパネルの発光特性
- RGB蛍光体と近紫外LEDを組み合わせた発光型液晶ディスプレイ : 発光体層の励起効率の改善(発光型/非発光型ディスプレイ)
- 近紫外励起用赤色蛍光体CuAlS_2:Mn,Siにおける母体の混晶化による励起特性の改善(発光型/非発光型ディスプレイ)
- VUV励起用緑色蛍光体LnOF:Tb(Ln=Y,La,Gd)の励起特性(発光型/非発光型ディスプレイ)
- 新しいPDP青色蛍光体を目的としたCaMgSi_2O_6:Eu^の劣化特性(映像入出力および一般)
- 複数の希土類元素を添加したCaMgSi_2O_6を母体とする蛍光体の発光特性
- 新しいPDP青色蛍光体を目的としたCaMgSi_2O_6 : Eu^2+の劣化特性
- 青色発光CaMgSi_2O_6:Eu^蛍光体を用いた試作PDPパネルの発光特性
- PLD法による青色発光CaAl_2O_4:Eu^蛍光体薄膜の作製
- 真空紫外線励起用蛍光体CaMgSi_2O_6:Eu^の発光特性
- PLD法による青色発光CaAl_2O_4:Eu^蛍光体薄膜の作製
- 真空紫外線励起用蛍光体CaMgSi_2O_6:Eu^の発光特性
- 近紫外励起用赤色蛍光体CuAlS_2:Mn, Siにおける母体の混晶化による励起特性の改善
- 青色無機EL材料Ba_2SiS_4:Ceの成膜・アニール方法の検討
- 青色蛍光体(Sr,Ba)_3MgSi_2O_8:Eu^の励起発光特性
- Xe_2分子線励起用CaLa_4Si_3O_:Tb^緑色PDP蛍光体の作製と評価
- 青色発光CaAl_2O_4:Eu^薄膜のPLD法における作製条件の検討
- 青色発光CaAl_2O_4:Eu^薄膜のPLD法における作製条件の検討
- C-9-3 ケイ酸塩蛍光体CaMgSi_2O_6:Eu^のPDP用としての実用の可能性
- C-9-3 プラズマディスプレイ用途を目指した青色発光ケイ酸塩蛍光体
- C-9-2 レーザプルーム発光分光を用いたPLD法におけるZnO:Zn蛍光体薄膜作製条件の最適化
- C-9-1 真空紫外線励起用青色発光Eu付活CaMgSi_2O_6蛍光体
- PDP用青色蛍光体を目指したEu^付活アルミン酸塩の作製と評価
- PLD法で作製したZnO:Zn蛍光体薄膜の酸素欠陥量の制御
- EID2000-29 PDP用青色蛍光体を目指したEu^付活アルミン酸塩の作製と評価
- SrGa2S4:Eu微粒子蛍光体を用いてスピンコーテョング法により作製した緑色無機薄膜EL素子 (電子ディスプレイ)
- 24pXN-5 スピネル化合物LiMn_2O_4の強磁場ESR(酸化物磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
- IMID2010報告会 : 全体概要、および蛍光体関係(IMID報告会)
- 液相合成法により作製したY_3Al_5O_:Ce蛍光体における合成・焼成過程でのCeの状態に関する研究(発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- SrGa_2S_4:Eu微粒子蛍光体を用いてスピンコーテョング法により作製した緑色無機薄膜EL素子(発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- Al_2S_3:MnとCuを蒸着源に用い多源蒸着法により作製したCuAlS_2:Mn赤色蛍光体薄膜の発光特性の改善(発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- VUV励起用緑色蛍光体LnOF : Tb(Ln=Y, La, Gd)の励起特性
- SrGa_2S_4:Eu微粒子蛍光体を用いてスピンコーテョング法により作製した緑色無機薄膜EL素子
- Al_2S_3:MnとCuを蒸着源に用い多源蒸着法により作製したCuAlS_2:Mn赤色蛍光体薄膜の発光特性の改善
- 液相合成法により作製したY_3Al_5O_:Ce蛍光体における合成・焼成過程でのCeの状態に関する研究
- Al_2S_3:MnとCuを蒸着源に用い多源蒸着法により作製したCuAlS_2:Mn赤色蛍光体薄膜の発光特性の改善(発光型/非発光型ディスプレイ,テーマ:ディスプレイに関する技術全般:LCD(バックライトを含む),PDP,有機/無機EL,CRT,FED,VFD,LEDなどのディスプレイに関するデバイス,部品,材料及び応用技術)
- 液相合成法により作製したY_3Al_5O_:Ce蛍光体における合成・焼成過程でのCeの状態に関する研究(発光型/非発光型ディスプレイ,テーマ:ディスプレイに関する技術全般:LCD(バックライトを含む),PDP,有機/無機EL,CRT,FED,VFD,LEDなどのディスプレイに関するデバイス,部品,材料及び応用技術)
- PDP用蛍光体の開発動向
- SrGa_2S_4:Eu微粒子蛍光体を用いてスピンコーテョング法により作製した緑色無機薄膜EL素子
- Al_2S_3:MnとCuを蒸着源に用い多源蒸着法により作製したCuAlS_2:Mn赤色蛍光体薄膜の発光特性の改善
- 液相合成法により作製したY_3Al_5O_:Ce蛍光体における合成・焼成過程でのCeの状態に関する研究
- 希土類イオンを付活したガーネット蛍光体の研究 (電子ディスプレイ)
- 希土類イオンを付活したガーネット蛍光体の研究 (情報ディスプレイ)
- 微細ステップ構造を有するガラス基板上に作製した無機薄膜EL素子の光干渉効果 (情報ディスプレイ)
- 希土類イオンを付活したガーネット蛍光体の研究
- 微細ステップ構造を有するガラス基板上に作製した無機薄膜EL素子の光干渉効果
- 希土類イオンを付活したガーネット蛍光体の研究(発光型/非発光型ディスプレイ)
- 微細ステップ構造を有するガラス基板上に作製した無機薄膜EL素子の光干渉効果(発光型/非発光型ディスプレイ)
- 微細ステップ構造を有するガラス基板上に作製した無機薄膜EL素子の光干渉効果
- PDP用蛍光体の開発動向
- 真空紫外励起用ケイ酸塩・アルミノケイ酸塩蛍光体における結晶構造と焼成劣化との関係(発光型/非発光型ディスプレイ)
- 溶液合成法により作製した珪酸塩蛍光体の形態制御(発光型/非発光型ディスプレイ)
- 微粒子蛍光体を用いインクジェット法により作製した無機薄膜EL素子(発光型/非発光型ディスプレイ)
- 低電圧で発光するCuAlS_2:Mn薄膜EL素子
- 真空紫外励起用ケイ酸塩・アルミノケイ酸塩蛍光体における結晶構造と焼成劣化との関係
- 微粒子蛍光体を用いインクジェット法により作製した無機薄膜EL素子
- 溶液合成法により作製した珪酸塩蛍光体の形態制御