トレンチ横型パワーMOSFETのホットキャリア耐性(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
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概要
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トレンチ横型パワーMOSFET(TLPM)のオン耐圧、RonQg、ホットキャリア耐性を調べた。デバイス構造の違いからプレーナーデバイスと高電界領域の位置が違うことがシミュレーションにより明らかになった。トレンチを浅くすると、ゲートチャージ量は小さくなるが、オン耐圧、ホットキャリア耐量が悪化する。しかし、デバイス構造の最適化により、高電界領域をSi内部に保つことで、改良できる可能性がある。これにより、高効率、高周波スイッチングを実現できる。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2006-11-17
著者
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松永 慎一郎
富士電機アドバンストテクノロジー
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澤田 睦美
富士電機アドバンストテクノロジー
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藤島 直人
富士電機アドバンストテクノロジー
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山路 将晴
富士電機デバイステクノロジー株式会社
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北村 明夫
富士電機デバイステクノロジー株式会社
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澤田 睦美
富士電機アドバンストテクノロジー(株)半導体研究所
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藤島 直人
(株)富士電機総合研究所
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藤島 直人
富士電機アドバンストテクノロジー(株)半導体研究所
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松永 慎一郎
富士電機アドバンストテクノロジー(株)半導体研究所
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