低オン抵抗トレンチ横型パワーMOSFET集積化技術
スポンサーリンク
概要
著者
-
岩谷 将伸
富士電機アドバンストテクノロジー(株)半導体研究所
-
澤田 睦美
富士電機アドバンストテクノロジー(株)半導体研究所
-
藤島 直人
(株)富士電機総合研究所
-
藤島 直人
富士電機アドバンストテクノロジー(株)半導体研究所
関連論文
- 20V級 低ゲートチャージ トレンチラテラルMOS
- トレンチ横型パワーMOSFETのホットキャリア耐性(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
- トレンチ横型パワーMOSFETのホットキャリア耐性
- 双方向トレンチ横型パワーMOS内蔵バッテリー保護IC
- 双方向トレンチ横型パワーMOS内蔵バッテリー保護IC
- トレンチ横型パワーMOSFETのホットキャリア耐性(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
- トレンチ横型パワーMOSFETのホットキャリア耐性(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
- Surrounding-Body領域を有する自己分離型高性能横型DMOSFET構造
- 低オン抵抗トレンチ横型パワーMOSFETを内蔵したスマートパワーIC技術
- 低オン抵抗トレンチ横型パワーMOSFET集積化技術
- 低オン抵抗トレンチ横型パワーMOSデバイス技術 (IC特集)
- 第2世代1チップリチウムイオン電池保護IC