松永 慎一郎 | 富士電機アドバンストテクノロジー(株)半導体研究所

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関連著者

• 松永 慎一郎

  富士電機アドバンストテクノロジー

• 澤田 睦美

  富士電機アドバンストテクノロジー

• 藤島 直人

  富士電機アドバンストテクノロジー

• 澤田 睦美

  富士電機アドバンストテクノロジー(株)半導体研究所

• 藤島 直人

  富士電機アドバンストテクノロジー(株)半導体研究所

• 松永 慎一郎

  富士電機アドバンストテクノロジー(株)半導体研究所

• 藤島 直人

  (株)富士電機総合研究所

• 山路 将晴

  富士電機デバイステクノロジー株式会社

• 北村 明夫

  富士電機デバイステクノロジー株式会社

• 魯 鴻飛

  富士電機アドバンストテクノロジー(株)半導体研究所

• 杉 祥夫

  富士電機アドバンストテクノロジー(株)半導体研究所

• 杉本 雅俊

  富士電機アドバンストテクノロジー(株)半導体研究所

• 岩谷 将伸

  富士電機アドバンストテクノロジー(株)半導体研究所

• 高際 和美

  富士電機アドバンストテクノロジー(株)半導体研究所

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著作論文

• 20V級 低ゲートチャージ トレンチラテラルMOS
• トレンチ横型パワーMOSFETのホットキャリア耐性(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
• トレンチ横型パワーMOSFETのホットキャリア耐性
• 双方向トレンチ横型パワーMOS内蔵バッテリー保護IC
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• トレンチ横型パワーMOSFETのホットキャリア耐性(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
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