トランジスタの動作点解析による故障箇所の特定 : リーク故障が論理動作に与える影響(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
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概要
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リーク故障に伴い顕在化する論理故障の発生箇所を特定するために、スイッチングレベルシミュレーションを用いた診断ソフトウエア中にゲート電圧に注目したトランジスタ動作点解析のための技術を取り入れている。この技術はリーク故障によりもたらされた中間電位となった信号がトランジスタのゲート電極に印加したとき、トランジスタが飽和領域に動作点を持つようになることを利用した方式である。CMOS回路の場合この動作は貫通電流回路網を形成する。そして貫通網のインピーダンス分割比から算出される電圧値が論理故障として伝播し出力する。診断方式を検証するために故障を埋め込んだ回路での診断をおこなった。この結果はSPICE解析とも一致し、この技術の有効性を証明できた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2006-11-17
著者
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