Si(110)基板上CMOSトランジスタ特性のGate酸化プロセス依存性(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)

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概要

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• Si(110)基板上にCMOSトランジスタを形成し、正孔移動度のGate酸化プロセス依存性評価を行った。評価を行った酸化プロセスは、ラジカル酸化及びRTO酸化である。評価の結果、ラジカル酸化の正孔移動度はRTO酸化よりも約10%大きいことが分かった。また、TEM解析の結果、ラジカル酸化のSiO_2/Si界面ラフネスはRTO酸化膜よりも改善していることが確認された。ラジカル酸化では界面ラフネス散乱が低減された為、正孔移動度が向上したと考えられる。

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 2006-06-14

著者

• 加藤 孝義

  ソニー(株)半導体事業グループ セミコンダクタテクノロジー開発本部

• 王 俊利

  ソニー(株)

• 平野 智之

  ソニー(株)

• 田井 香織

  ソニー(株)

• 岩元 勇人

  ソニー株式会社

• 桧山 晋

  ソニー株式会社

• 王 俊利

  ソニー株式会社

• 加藤 孝義

  ソニー株式会社

• 平野 智之

  ソニー株式会社

• 田井 香織

  ソニー株式会社

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