Electrical Characterization of Low Nitrogen Content Plasma Deposited and Rapid Thermal Annealed Al/SiN_x : H/InP Metal-Insulator-Semiconductor Structures

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概要

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2000-11-15

著者

Gonzalez-diaz German
Departmento De Fisica Aplicada Iii (electricidad Y Electronica) Fac. Cc Fisicas Universidad Complute
Duenas Salvador
Departmento De Electricidad Y Electronica E. T. S. I. Telecomunicacion Campus "miguel Delibes&q
Castán Helena
Departamento de Electricidad y Electrónica, E.T.S.I. Telecomunicación, Campus “Miguel Delibes”, Univ
Barbolla Juan
Departamento de Electricidad y Electrónica, E.T.S.I. Telecomunicación, Campus “Miguel Delibes”, Univ
Mártil Ignacio
Departamento de Física Aplicada III (Electricidad y Electrónica), Fac. CC Físicas, Universidad Compl
REDONDO Estefania
Departamento de Fisica Aplicada III(Electricidad y Electronica), Facultad de Ciencias Fisicas, Unive
Barbolla Juan
Departmento De Electricidad Y Electronica E. T. S. I. Telecomunicacion Campus "miguel Delibes&q
Redondo Estefania
Departamento De Fisica Aplicada Iii(electricidad Y Electronica) Facultad De Ciencias Fisicas Univers
GONZALEZ-DIAZ German
Departamento de Fisica Aplicada III(Electricidad y Electronica), Facultad de Ciencias Fisicas, Universidad Complutense
Duenas Salvador
Department Electricidad y Electrdnica, ETSI Telecomunicacion, Universidad de Valladolid, Campus Miguel Delibes s-n

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