Sub-Bandgap External Quantum Efficiency in Ti Implanted Si Heterojunction with Intrinsic Thin Layer Cells
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概要
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In this work we present the manufacturing processes and results obtained from the characterization of heterojunction with intrinsic thin layer solar cells that include a heavily Ti ion implanted Si absorbing layer. The cells exhibit external circuit photocurrent at photon energies well below the Si bandgap. We discuss the origin of this below-bandgap photocurrent and the modifications in the hydrogenated amorphous intrinsic Si layer thickness to increase the open-circuit voltage.
- 2013-12-25
著者
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Gonzalez-diaz German
Departmento De Fisica Aplicada Iii (electricidad Y Electronica) Fac. Cc Fisicas Universidad Complute
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Mártil Ignacio
Departamento de Física Aplicada III (Electricidad y Electrónica), Fac. CC Físicas, Universidad Compl
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Prado Alvaro
Departamento de Física Aplicada III (Electricidad y Electrónica), Facultad de Ciencias Físicas, Universidad Complutense de Madrid, 28040 Madrid, Spain
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Silvestre Santiago
Micro and Nano Technologies Group, Electronic Engineering Department, Universitat Politècnica de Catalunya, C/Jordi Girona 1-3, Campus Nord UPC, 08034 Barcelona, Spain
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Boronat Alfredo
Micro and Nano Technologies Group, Electronic Engineering Department, Universitat Politècnica de Catalunya, C/Jordi Girona 1-3, Campus Nord UPC, 08034 Barcelona, Spain
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Colina Mónica
Micro and Nano Technologies Group, Electronic Engineering Department, Universitat Politècnica de Catalunya, C/Jordi Girona 1-3, Campus Nord UPC, 08034 Barcelona, Spain
-
Castañer Luis
Micro and Nano Technologies Group, Electronic Engineering Department, Universitat Politècnica de Catalunya, C/Jordi Girona 1-3, Campus Nord UPC, 08034 Barcelona, Spain
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Olea Javier
Departamento de Física Aplicada III (Electricidad y Electrónica), Facultad de Ciencias Físicas, Universidad Complutense de Madrid, 28040 Madrid, Spain
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Pastor David
Departamento de Física Aplicada III (Electricidad y Electrónica), Facultad de Ciencias Físicas, Universidad Complutense de Madrid, 28040 Madrid, Spain
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Luque Antonio
Instituto de Energía Solar, E.T.S.I. Telecomunicación, Universidad Politécnica de Madrid, 28040 Madrid, Spain
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Antolín Elisa
Instituto de Energía Solar, E.T.S.I. Telecomunicación, Universidad Politécnica de Madrid, 28040 Madrid, Spain
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Hernández Estela
Instituto de Energía Solar, E.T.S.I. Telecomunicación, Universidad Politécnica de Madrid, 28040 Madrid, Spain
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Ramiro Iñigo
Instituto de Energía Solar, E.T.S.I. Telecomunicación, Universidad Politécnica de Madrid, 28040 Madrid, Spain
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Artacho Irene
Instituto de Energía Solar, E.T.S.I. Telecomunicación, Universidad Politécnica de Madrid, 28040 Madrid, Spain
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López Esther
Instituto de Energía Solar, E.T.S.I. Telecomunicación, Universidad Politécnica de Madrid, 28040 Madrid, Spain
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Martí Antonio
Instituto de Energía Solar, E.T.S.I. Telecomunicación, Universidad Politécnica de Madrid, 28040 Madrid, Spain
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Olea Javier
Departamento de Física Aplicada III (Electricidad y Electrónica), Facultad de Ciencias Físicas, Universidad Complutense de Madrid, 28040 Madrid, Spain
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Pastor David
Departamento de Física Aplicada III (Electricidad y Electrónica), Facultad de Ciencias Físicas, Universidad Complutense de Madrid, 28040 Madrid, Spain
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Luque Antonio
Instituto de Energía Solar, E.T.S.I. Telecomunicación, Universidad Politécnica de Madrid, 28040 Madrid, Spain
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Artacho Irene
Instituto de Energía Solar, E.T.S.I. Telecomunicación, Universidad Politécnica de Madrid, 28040 Madrid, Spain
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Boronat Alfredo
Micro and Nano Technologies Group, Electronic Engineering Department, Universitat Politècnica de Catalunya, C/Jordi Girona 1-3, Campus Nord UPC, 08034 Barcelona, Spain
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Silvestre Santiago
Micro and Nano Technologies Group, Electronic Engineering Department, Universitat Politècnica de Catalunya, C/Jordi Girona 1-3, Campus Nord UPC, 08034 Barcelona, Spain
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Colina Mónica
Micro and Nano Technologies Group, Electronic Engineering Department, Universitat Politècnica de Catalunya, C/Jordi Girona 1-3, Campus Nord UPC, 08034 Barcelona, Spain
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Castañer Luis
Micro and Nano Technologies Group, Electronic Engineering Department, Universitat Politècnica de Catalunya, C/Jordi Girona 1-3, Campus Nord UPC, 08034 Barcelona, Spain
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GONZALEZ-DIAZ German
Departamento de Fisica Aplicada III(Electricidad y Electronica), Facultad de Ciencias Fisicas, Universidad Complutense
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