6-4 OBICを用いたレーザービームキャリア注入技術によるCMOS LSIの不良解析 : LIST法(Light lnduced State Transition Method)による不良解析(日本信頼性学会第9回信頼性シンポジウム)

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概要

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• CMOS LSIの不良解析にOBICを応用した。LIST法(Light lnduced State Transition Method)と名付けた、レーザービームによるキャリアの注入技術によってCMOS LSI内部のバイアス状態を変化させ、スタンバイ状態で'L'レベルの配線がGNDとショートしている不良や'H'レベルの配線がVDDとショートしている不良を絞り込むことが出来ることを、TEGを用いた実験で確認した。これを用いて、従来法では複雑なテストパターンが必要な動作不良を、スタンバイ状態のみで解析した。

• 日本信頼性学会の論文
• 1996-11-10

著者

• 清水 正男

  日本アイ・ビー・エム(株)

• 西川 明

  (株)アイテス半導体故障解析

• 西川 明

  株式会社アイテス

• 小谷 知世

  株式会社アイテス

• 三浦 伸仁

  株式会社アイテス

• 河野 好映

  日本アイ・ビー・エム株式会社

• 清水 正男

  日本アイ・ビー・エム株式会社

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