Optical Patterning of Polymer Light-Emitting Device
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概要
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Emission characteristics of a polymer light-emitting device (PLED) with an indium-tin-oxide/poly (3-hexylthiophene)/semitransparent-Al structure are drastically changed upon photo-irradiation in air. After the photo-irradiation of PLED, current passing through the device decreased by about one order of magnitude and the emission disappeared. Patterned emission from the PLED utilizing this effect is demonstrated. The observed modification should originate from a slight photo-oxidation at the polymer/Al interface and/or polymer layer. The optical patterning method mentioned here can be carried out after completing the device fabrication, in contrast to other methods such as ink-jet printing technology, in which the patterning of the polymer must be carried out before deposition of the metal electrode.
- 社団法人応用物理学会の論文
- 1998-10-01
著者
-
小野田 光宣
兵庫県立大学 大学院工学研究科
-
Tada Kazuya
Department Of Electrical Engineering And Computer Sciences Graduate School Of Engineering Himeji Ins
-
Onoda Mitsuyoshi
Department Of Electrical Engineering And Computer Sciences Graduate School Of Engineering Himeji Ins
-
Nakayama Hiroshi
Department Of Electrical Engineering Faculty Of Engineering Himeji Institute Of Technology
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