Fabrication and Characteristics of Schottky Gated Field Effect Transistors Utilizing Poly(1, 4-naphthalene vinylene) and Poly(p-phenylene vinylene)
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概要
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Fabrication and characteristics of Schottky gated poly(1, 4-naphthalene vinylene) and poly (p-phenylene vinylene) field-effect transistors (FETs) have been reported for the first time. The FET has been realized utilizing the polymer film formed on a Schottky gated electrode deposited upon a glass substrate. From FET characteristics, the carrier concentrations and carrier mobilities are evaluated for poly(1, 4-naphthalene vinylene) and poly(p-phenylene vinylene). Electrical properties are discussed on the basis of the FET characteristics for the nominally undoped samples.
- 社団法人応用物理学会の論文
- 1992-05-15
著者
-
小野田 光宣
兵庫県立大学 大学院工学研究科
-
Yoshino Katsumi
Faculty Of Engineering Osaka University
-
MURO Keiro
Faculty of Engineering, Osaka University
-
Muro K
Osaka Univ. Osaka
-
Ohmori Yutaka
Faculty Of Engineering Osaka University
-
Onoda Mitsuyoshi
Faculty Of Engineering Himeji Institute Of Technology
-
Yoshino Katsumi
Faculty Of Engineering Of Osaka University
-
Ohmori Yutaka
Center for Advanced Science and Innovation (CASI), Osaka University
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