3. タイムモジュレーションプラズマによる高精度エッチング (<小特集>ドライエッチング用プラズマ)

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概要

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• For future ULSI processes, high density plasma has serious problems for deep SiO_2 contact hole and minute poly-Si gate etchings, such as low selectivity, local side etching, and charge build-up damages. These are due to a high degree of dissociation and charge accumulation on the substrate involving higher electron energy and high electron density. To settle these problems, we propose a few ten μ sec pulse-time modulated plasma that enables controlling an electron temperature in the plasma. It can achieve highly selective, highly anisotropic and charge-free etching by controlling reactive-radicals generation and suppressing charge accumulation.

• 社団法人プラズマ・核融合学会の論文
• 1995-08-25

著者

• 寒川 誠二

  日本電気株式会社シリコンシステム研究所

• 寒川 誠二

  日本電気株式会社 シリコンシステム研究所

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