付録 シラン系ガスの取り扱いと安全対策 (<講座>プラズマCVDの基礎)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
Legal regulations and safe handling during the use of toxic and explosive processing gas molecules such as monosilane are explained. It is concluded that monosilane gas is not a dangerous source gas molecule when the properties of the molecule are well understood and when it is used properly by taking several cares into account.
- 社団法人プラズマ・核融合学会の論文
- 2000-10-25
著者
関連論文
- 水素化シリコン系薄膜の成長初期過程-走査トンネル顕微鏡によるナノスケール観察-
- 4a-R-12 パルス電子スピン共鳴によるゼオライト結晶細孔中の水素原子サイトの局所構造決定
- 12a-DF-14 アモルファスシリコンのパルスESR : スピン緩和から見たダングリングボンドと水素の距離
- シリコン系薄膜製膜技術の現状と展望
- PECVD法による微結晶シリコン薄膜形成過程とデバイス応用 (アモルファス半導体と関連物質--乱れた系、アモルファス半導体、微結晶半導体 特集号) -- (4.微結晶シリコン)
- 付録 シラン系ガスの取り扱いと安全対策 (プラズマCVDの基礎)
- 2. シランプラズマ中における原料ガスの解離過程 (プラズマCVDの基礎)
- 分光エリプソメトリーおよび赤外分光によるSi薄膜表面のその場観察
- 薄膜微結晶シリコン太陽電池材料における表面界面の諸問題
- プラズマCVDを用いた低温ポリシリコンの高品質化と高速堆積技術
- プラズマCVDを用いた低音ポリシリコンの高品質化と高速堆積技術
- 微結晶シリコンの成長過程と光安定性
- 微結晶シリコン系薄膜の成長プロセスと物性
- ニューサンシャイン計画と電総研スーパーラボによる産官学共同研究
- 29p-E-7 プラズマCVD法による微結晶シリコン薄膜作製における界面制御
- 13p-DC-9 a-Si:Hにおける発光寿命分布の発光エネルギー依存性
- 31p-M-4 a-Si : Hの電子と正孔の分散型電気伝導とバンド端のゆらぎ
- プラズマCVD法によるアモルファスシリコンの成長過程と欠陥制御 (材料科学)
- CARS,LIFによるRFシランプラズマ計測 (レ-ザ-分光法によるプロセシングプラズマ計測特集号)
- 3p-WA-4 アモルファスSi:Hと微結晶Si:H(構造制御と諸物性の転移)
- CARSによるシランプラズマ診断
- 微結晶・アモルファス太陽電池の現状と動向
- アルモルファスシリコンの成長過程
- P-20 a-Si,a-Si : Hの弾性表面波伝播(ポスター・セッション)
- 応用(1)アモルファスシリコン系太陽電池 (アモルファス半導体と関連物質--乱れた系、アモルファス半導体、微結晶半導体 特集号) -- (2.アモルファスシリコン系)
- 1-1 a-Si系太陽電池明暗サイクル光加速劣化試験方法(第4回信頼性研究発表会)
- As2S3蒸着薄膜のエッチング
- プラズマCVDによる薄膜形成 : アモルファスシリコンとシリコン系合金薄膜作製における最近の話題
- 6. プラズマCVDと電子エネルギー分布関数 (電子エネルギー分布関数とプラズマプロセス)
- プラズマスペクトルの観測によるa-Si : H薄膜作製の制御と解析