6. プラズマCVDと電子エネルギー分布関数 (<小特集>電子エネルギー分布関数とプラズマプロセス)

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概要

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• The effect of electron-energy-distribution function in a reactive plasma on the plasma CVD process is discussed using an example of an amorphous silicon film growth from a monosilane glow-discharge plasma. The correspondence of the contribution ratio of short-lifetime reactive species and higher silane related reactive species during film growth with the structural properties of the resulting amorphous silicon is shown. Finally, control of photo-induced degradation properties in the amorphous silicon-based solar cells is demonstrated through the control of electron temperature in the plasma.

• 社団法人プラズマ・核融合学会の論文
• 2001-07-25

著者

• 松田 彰久

  産業技術総合研究所

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