As<SUB>2</SUB>S<SUB>3</SUB>蒸着薄膜のエッチング

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る

• Characteristic pattern which was observed on the surface of etched as-evaporated As<SUB>2</SUB>S<SUB>3</SUB> film has been investigated and ascertained to be composed of As<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB>micro-crystals. Etching rate difference between as-evaporated film and argon ion laser irradiated one has been discussed. Using the difference of etching rate, holographic grating has been formed on the amorphous As<SUB>2</SUB>S<SUB>3</SUB>film.

• 日本真空協会の論文

著者

• 松田 彰久

  電子技術総合研究所

• 松田 彰久

  電総研

• 飯島 茂

  電総研

• 飯島 茂

  電子技術総合研究所

関連論文

• 水素化シリコン系薄膜の成長初期過程-走査トンネル顕微鏡によるナノスケール観察-
• 4a-R-12 パルス電子スピン共鳴によるゼオライト結晶細孔中の水素原子サイトの局所構造決定
• 12a-DF-14 アモルファスシリコンのパルスESR : スピン緩和から見たダングリングボンドと水素の距離
• ニューサンシャイン計画と電総研スーパーラボによる産学官共同研究 (特集 材料科学)
• 付録 シラン系ガスの取り扱いと安全対策 (プラズマCVDの基礎)
• 2. シランプラズマ中における原料ガスの解離過程 (プラズマCVDの基礎)
• 分光エリプソメトリーおよび赤外分光によるSi薄膜表面のその場観察
• 薄膜微結晶シリコン太陽電池材料における表面界面の諸問題
• プラズマCVDを用いた低温ポリシリコンの高品質化と高速堆積技術
• プラズマCVDを用いた低音ポリシリコンの高品質化と高速堆積技術
• 微結晶シリコン系薄膜の成長プロセスと物性
• ニューサンシャイン計画と電総研スーパーラボによる産官学共同研究
• 29p-E-7 プラズマCVD法による微結晶シリコン薄膜作製における界面制御
• 13p-DC-9 a-Si:Hにおける発光寿命分布の発光エネルギー依存性
• 31p-M-4 a-Si : Hの電子と正孔の分散型電気伝導とバンド端のゆらぎ
• 3p-WA-4 アモルファスSi:Hと微結晶Si:H(構造制御と諸物性の転移)
• 30a-M-7 半導体 / Langmuir-Blogett膜MIS構造の量子ホール効果
• CARSによるシランプラズマ診断
• 8p-F-3 Zinc Blende型結晶の(110),(001),(221),(112)面上に成長させたCdSの結晶学的方位と境界格子不一致
• モノシランの酸化特性および複合型警報器の提案(資料)
• アモルファスシリコンの製造プロセス (先端分野における材料技術)
• モノシランガス警報器の有効性について
• アモルファスシリコン成膜技術--グロ-放電分解法 (「電子材料のための成膜技術」特集号)
• 解説記事 アモルファスシリコンの光劣化の克服
• 低温プラズマによるアモルファスシリコンの成長 (セラミックスへのプラズマ利用)
• プラズマからの膜成長基礎過程--アモルファスシリコンとシリコン系合金 (プラズマによる膜生成とその特性評価)
• 太陽電池とアモルファスシリコン
• グロ-放電法 (無機アモルファス材料) -- (新しい合成法)
• アルモルファスシリコンの成長過程
• P-20 a-Si,a-Si : Hの弾性表面波伝播(ポスター・セッション)
• プラズマCVDによる薄膜形成--アモルファスシリコンとシリコン系合金薄膜作製における最近の話題 (特集プラズマプロセス-1-)
• 1-1 a-Si系太陽電池明暗サイクル光加速劣化試験方法(第4回信頼性研究発表会)
• アモルファスシリコンの高速成膜 (1985年の化学-7-)
• 微結晶シリコン膜成長表面における不純物の微視的役割--大粒径化と低欠陥密度化 (特集 材料科学)
• 超高純度水素化アモルファスシリコンの作製
• 成長過程と新しい膜質制御法 (アモルファス半導体と新材料) -- (アモルファスシリコンとその合金系)
• 水素化アモルファス・シリコン膜の成長過程
• ラジカル制御による高品質アモルファスSi-Ge薄膜の形成
• 3電極構造によるプラズマCVD (プラズマCVD(技術ノ-ト))
• As2S3蒸着薄膜のエッチング
• 極性メモリー現象
• As2S3蒸着薄膜のエッチング
• プラズマCVDによる薄膜形成 : アモルファスシリコンとシリコン系合金薄膜作製における最近の話題
• 14a-Q-6 メロシアニン色素ラングミュア膜のESR(II)
• プラズマスペクトルの観測によるa-Si : H薄膜作製の制御と解析
• 1p-P-3 メロシアニン色素LB膜のESR(IV)
• 1a-C-4 メロシアニン系色素ラングミュア膜のESR
• タイトル無し
• 1a-E1-8 メロシアニン色素ラングミュア膜のESR(III)(1a E1 分子性結晶・液晶・有機半導体,分子性結晶・有機半導体・液晶)
• 30p-EA-2 メロシアニン邑素LB膜のESR(V)(30p EA 分子性結晶・液晶・有機半導体)

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク