書換え形2層ディスク用高速相変化材料
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概要
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優れた高速結晶化特性を有する新規な相変化材料として、従来のGe-Sb-TeにSnを添加したGe-Sn-Sb-Te膜を開発した。この薄膜は、膜厚を5nmにまで薄くしても、50ns以下のレーザ照射で結晶化する。Ge-Sn-Sb-Te膜(6nm)を第1のメモリ層、Ge-Sb-Te(12nm)を第2のメモリ層に適用し、青紫光源(λ:405nm、NA:0.65)を用いて容量27GBと記録データ速度33Mbpsの仕様で、2層ディスクを試作し、いずれのメモリ層でも50dB以上のC/Nと30dB以上の消去率が得られた。この際、第1および第2のメモリ層への記録パワーは、それぞれ8mWと11mWで、実用的な値であった。
- 社団法人映像情報メディア学会の論文
- 2001-03-08
著者
-
児島 理恵
パナソニック株式会社
-
児島 理恵
松下電器産業(株)
-
山田 昇
松下電器産業(株)
-
鳴海 建治
パナソニック株式会社デジタル・ネットワーク開発センターストレージメディア開発グループ
-
宇野 真由美
松下電器産業(株)メディア制御システム開発センター
-
山田 昇
独立行政法人科学技術振興機構crest
-
鳴海 建治
松下電器産業(株) 光ディスク開発センター
-
北浦 英樹
松下電器産業株式会社 AVコア技術開発センター ストレージメディアグループ
-
西内 健一
松下電器産業株式会社 AVコア技術開発センター ストレージメディアグループ
-
秋山 哲也
松下電器産業株式会社光ディスク開発センター
-
西内 健一
松下電器産業(株)光ディスク開発センター
-
山田 昇
松下電器産業
-
鳴海 建治
パナソニック株式会社デジタル・ネットワーク開発センター
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