相変化光ディスクにおける界面層のオーバライト速度向上効果
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概要
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相変化光ディスクにおける代表的な構成であるGe-Sb-Te記録層とZnS-Si0_2保護層において、両者の界面、とくに記録層と反射層側保護層との界面にGe-N界面層を形成することで結晶化過程が飛躍的に加速される現象が観測された。記録層にGe_2Sb_<2.4>Te_5記録層を適用した従来の急冷構成ディスクでは線速度12m/sで10dB以下のDC-消去率に留まっていたが、厚さ50mのGe-N界面層を記録層の両面に配した光ディスクでは線速度15m/sでも30dBを越えるDC-消去率が得られた。界面層を用いない場合には、記-録層の組成として結晶化速度が大きいことで知られる化学量論的化合物組成Ge_2Sb_2Te_5を用いても10dB以下のDC-消去率しか得られず、今後の高速化には界面層が必須であることが示された。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1999-03-04
著者
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