12a-W-11 Pb_<1-x>Sn_xTeの遠赤外サイクロトロン共鳴
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1974-09-20
著者
関連論文
- 23p-G-11 HgTeの遠赤外Magnetooptical Effects
- 3p-M-12 HgTeの遠赤外Magnetoreflection
- 2p-W-20 MX_3(TaS_3, NbSe_3)の非線型電気伝導
- 3a-A-6 1T-TaS_2の非線型電気伝導 : 磁気抵抗とホール効果
- 30p-E-12 1T-TaS_2及びTi_V_xSe_2の高電界下における磁気抵抗効果
- 8a-B-16 テルルのトンネル効果
- 30p-H-10 NbSe_2のトンネル効果測定
- 6p-H-7 半導体のマイクロ波非線型効果 V
- 14p-K-4 半導体のマイクロ波非線型現象 IV
- 14p-K-3 半導体のマイクロ波非線型現象 III
- 5a-G-11 半導体のマイクロ波非線型効果II
- 半導体マイクロ波非線形現象 : 半導体・イオン結晶・光物性・量子エレクトロニクス合同シンポジウム : 光学を中心とした非線型現象
- ビスマスの自己磁氣抵抗効果 : 半導体 : 輸送
- 0.1°K付近のInSbの電気伝導度
- ヘリウム液化機の遠隔運転操作システム
- 30p-E-11 2HMX_2の電気伝導 II
- 5a-L-2 BaBi_Pb_xO_3における価数揺動状態と光学型フォノン
- 23aPS-38 Bi_2Sr_La_CuO_における面間磁気抵抗の圧力依存性
- 23aPS-25 圧力下での単結晶Bi_Sr_La_CuO_の電気抵抗率
- 24aPS-44 常伝導状態でのBi_2Sr_2Ca(Cu_M_x)_2O_(M=Zn, Ni, Co)単結晶の磁化温度依存性
- 28a-W-4 単層構造を持つ高温超伝導体のNMR
- 5p-DR-7 IV族遷移金属カルコゲナイドの光学的性質
- 2p-TC-10 Te系半導体について、(実験的側面から)
- 3a-A-3 2H-MX_2の電気伝導III
- 15a-A-12 Te単結晶の赤外吸収
- Te及びTe-Se合金の赤外吸収 : 半導体 (化合物, その他)
- 30p-N-15 (C_H_NH_3)_2PbI_4の励起子に対する電場変調効果
- 4p-K-2 遷移金属ダイカルコゲナイド(1T-TaS_2)の電気伝導-II
- 5a-B-10 遷移金属-ダイカルコゲナイド(1T-TaS_2)の電気伝導
- 4a-NF-10 Cu_Mo_6S_単結晶の電気的性質
- 30p-Q-4 Cu_xMo_6S_8 の単結晶成長と電気的性質 II
- 4a-J-2 単結晶Cu_xMo_6S_8のホール係数と横磁気抵抗
- 2p-B-13 2HMX_2の電気伝導
- 30p-E-13 TiSe_2の相転移 III
- 30p-Q-3 BaPb_Bi_xO_3超伝導体の磁気的性質
- 5p-U-1 Strip Line法によるNarrow Gap半導体のサイクロトロン共鳴II
- 12p-F-8 Strip Line法によるNarrow Gap半導体のサイクロトロン共鳴
- 4a-R-12 HgTeの遠赤外磁気光吸収の一軸性応力効果
- 12a-W-11 Pb_Sn_xTeの遠赤外サイクロトロン共鳴
- 3p-KL-1 HgTeの遠赤外Magnetooptical Effects II
- 3a-KL-3 テルルのPiezoreflectance
- 3p-M-10 テルルのthermoreflectance
- 13a-H-8 テルル中の不純物準位の遠赤外光吸収 II
- 11p-H-4 テルルの伝導帯
- 6a-H-9 テルル単結晶の基礎吸収端付近における微細構造
- 3p-N-3 テルル単結晶の磁気光吸収 II
- 2a-A-4 テルル中の不純物準位の遠赤外光吸収
- 8a-B-13 テルル単結晶の強磁場下の電気伝導
- 7p-Q-10 テルル単結晶のサイクロトロン共鳴
- 2p-TC-9 遠赤外におけるTe-Se混晶の格子吸収
- 15a-A-10 遠赤外におけるテルル単結晶の格子吸収
- 3p-S3-21 YCu_2のドハース・ファンアルフェン効果
- 30a-H-7 La_(RE)_xMo_6S_8の超伝導
- 30p-E-10 1T-VSe_2の電流磁気効果 II
- 2p-B-12 VSe_2の電気的性質 I
- 31p KH-10 IT及び2H TaSe_2の電気伝導
- 5p-AB-3 層状超伝導体2HNbSe_2における非磁性不純物効果
- 5p-C-5 2H-NbS_2および2H-NbSe_2の超伝導 II
- Bi-2223に於ける銀の拡散効果
- 低温てなんだ?
- InSbの抵抗異常とスピン散乱 : 半導体(輸送)
- 30p-R-8 重イオン照射したBi系超伝導体における交流帯磁率測定
- 7p-M-11 3.5GeV Xeイオンを照射したBi系超伝導体のピニング特性
- 30p-HE-9 Cu_Mo_6S_,Ag_xMo_6S_8のゼーベック効果
- 30p-HE-8 シェブレル相単結晶Cu_Mo_6S_における電流磁気効果の組成依存性
- 2p-B-14 TiSe_2の相転移 II
- 5p-DR-6 TiSe_2の相転移
- 2a-NL-14 遷移金属カルコゲナイドのNMR
- 31a-BJ-9 遷移金属ダイカルコゲナイド(1T-TaS_2系)の電気伝導
- 2p-NL-2 1T-Ta_MxS_2のゼーベック効果
- 2p-W-19 2H-MX_2のゼーベック効果
- 3a-A-5 1T-TaS_2のゼーベック効果
- 1a-B-5 BaPb_Bi_xO_3系のゼーベック効果(0≦X≦0.3を中心として)
- 27p-HE-12 BaPb_Bi_xO_3の比熱II
- 1a-H-8 BaPb_Bi_xO_3の比熱
- 5a-M-7 HgTeのトンネル効果
- 2a-N-11 テルルのトンネル効果 II
- 量子井戸構造半導体レ-ザの開発動向 (オプトエレクトロニクス材料)
- 31a-BJ-7 TiSe_2 の CDW 転移
- 13p-PS-13 Ag_2Fの磁気抵抗
- 2p-W-22 遷移金属ダイカルコゲナイドにおけるCDWと赤外スペクトル
- 1p-PS-91 高温酸化物超伝導体のトンネル分光(低温(酸化物超伝導体))