0.1°K付近のInSbの電気伝導度
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1965-03-31
著者
関連論文
- Impaired gastric motility and its relationship to reflux symptoms in patients with nonerosive gastroesophageal reflux disease
- 固体物理学と産業をつないで
- 2p-W-20 MX_3(TaS_3, NbSe_3)の非線型電気伝導
- 3a-A-6 1T-TaS_2の非線型電気伝導 : 磁気抵抗とホール効果
- 30p-E-12 1T-TaS_2及びTi_V_xSe_2の高電界下における磁気抵抗効果
- 8a-B-16 テルルのトンネル効果
- 30p-H-10 NbSe_2のトンネル効果測定
- Combination chemotherapy with cisplatin and gemcitabine in malignant peritoneal mesothelioma
- Gastric phenotype signet-ring cell carcinoma of the stomach with multiple bone metastases effectively treated with sequential methotrexate and 5-fluorouracil
- 6p-H-7 半導体のマイクロ波非線型効果 V
- 3a-H-4 テルルの電気伝導
- 14p-K-4 半導体のマイクロ波非線型現象 IV
- 14p-K-3 半導体のマイクロ波非線型現象 III
- 5a-G-11 半導体のマイクロ波非線型効果II
- 半導体マイクロ波非線形現象 : 半導体・イオン結晶・光物性・量子エレクトロニクス合同シンポジウム : 光学を中心とした非線型現象
- 半導体のマイクロ波非線形特性 : 半導体(輸送)
- n型InSbの負の磁気抵抗効果 : 半導体 : 不純物伝導
- ビスマスの自己磁氣抵抗効果 : 半導体 : 輸送
- 0.1°K付近のInSbの電気伝導度
- 極低温における縮退型半導体の電気伝導 : 低温
- 30p-E-11 2HMX_2の電気伝導 II
- 5a-L-2 BaBi_Pb_xO_3における価数揺動状態と光学型フォノン
- Effect of ursodeoxycholic acid on serum liver enzymes and bile acid metabolism in chronic active hepatitis C virus infection
- Improvement of gastric motility by hemodialysis in patients with chronic renal failure
- Impaired gastric motility and its relationship to gastrointestinal symptoms in patients with chronic renal failure
- Prognostic indicators estimated by ^Tc-GSA in acute liver damage
- Effects of endothelin-1 on the membrane potential and slow waves in circular smooth muscle of rat gastric antrum
- Effects of oral glucose intake on gastric myoelectrical activity and gastric emptying
- Gastric Myoelectrical Activity in Patients with Recurrent Gastric or Duodenal Ulcers
- Gastric Motility in Patients with Recurrent Gastric Ulcers
- Effects of trimebutine maleate on gastric motility in patients with gastric ulcer
- 5p-DR-7 IV族遷移金属カルコゲナイドの光学的性質
- 16p-D-1 CO_2レーザー発振器の利得測定
- 超音波による赤外線レーザー光の回折 : 量子エレクトロニクス
- 10.6μにおけるInSbの光伝導III : 量子エレクトロニクス
- 6)ヨーロッパにおけるオプトエレクトロニクス・デバイスの研究の現状(光・フィルム技術研究会(第12回))
- 光通信デバイスの最近の研究動向から (特集 光通信技術の現状と展望)
- 人と人, 分野と分野をつなぐ光学
- 教育国際化の実験国家オーストラリア--試みと課題
- ITを利用した高等教育の展開--教室外講義,通信教育を中心に
- 高等教育レベルにおける教育評価の進展と課題--電子・情報系を例として
- 大学基礎教育としての光学教育
- ドイツの大学と大学外高等教育機関におけるIT利用新教育支援方策の調査--ニューメディア教育プロジェクト(PT-NMB)
- 超高速フォトニクス
- Micro-Optical Platform for All-Optical Demultiplexing Switch Array
- 高速機能デバイスとしての半導体レーザー
- 2層反射防止膜による1.3μm帯波長可変モード同期半導体レーザ
- 2p-TC-10 Te系半導体について、(実験的側面から)
- 3a-A-3 2H-MX_2の電気伝導III
- 3a-H-6 CO_2レーザーによるTe単結晶の光伝導II
- 4p-K-2 遷移金属ダイカルコゲナイド(1T-TaS_2)の電気伝導-II
- 5a-B-10 遷移金属-ダイカルコゲナイド(1T-TaS_2)の電気伝導
- 4a-NF-10 Cu_Mo_6S_単結晶の電気的性質
- 30p-Q-4 Cu_xMo_6S_8 の単結晶成長と電気的性質 II
- 4a-J-2 単結晶Cu_xMo_6S_8のホール係数と横磁気抵抗
- 2p-B-13 2HMX_2の電気伝導
- 30p-E-13 TiSe_2の相転移 III
- 30p-Q-3 BaPb_Bi_xO_3超伝導体の磁気的性質
- 12p-F-8 Strip Line法によるNarrow Gap半導体のサイクロトロン共鳴
- 4a-R-12 HgTeの遠赤外磁気光吸収の一軸性応力効果
- 12a-W-11 Pb_Sn_xTeの遠赤外サイクロトロン共鳴
- 3p-M-10 テルルのthermoreflectance
- 6a-H-9 テルル単結晶の基礎吸収端付近における微細構造
- 3p-N-3 テルル単結晶の磁気光吸収 II
- 2a-A-4 テルル中の不純物準位の遠赤外光吸収
- 7p-Q-10 テルル単結晶のサイクロトロン共鳴
- 2p-TC-9 遠赤外におけるTe-Se混晶の格子吸収
- 15a-A-10 遠赤外におけるテルル単結晶の格子吸収
- マイクロ波フォトニクスの目指すもの
- 30a-H-7 La_(RE)_xMo_6S_8の超伝導
- 30p-E-10 1T-VSe_2の電流磁気効果 II
- 2p-B-12 VSe_2の電気的性質 I
- 31p KH-10 IT及び2H TaSe_2の電気伝導
- 5p-AB-3 層状超伝導体2HNbSe_2における非磁性不純物効果
- 5p-C-5 2H-NbS_2および2H-NbSe_2の超伝導 II
- InSbの抵抗異常とスピン散乱 : 半導体(輸送)
- 6a-B-11 NiO,CoO,MnO単結晶の蛍光
- NiO, CoO, MnO単結晶の蛍光 : 光物性
- 3p-H-2 NiOの蛍光
- 30p-HE-9 Cu_Mo_6S_,Ag_xMo_6S_8のゼーベック効果
- 30p-HE-8 シェブレル相単結晶Cu_Mo_6S_における電流磁気効果の組成依存性
- 2p-B-14 TiSe_2の相転移 II
- 2a-NL-14 遷移金属カルコゲナイドのNMR
- 31a-BJ-9 遷移金属ダイカルコゲナイド(1T-TaS_2系)の電気伝導
- 2p-NL-2 1T-Ta_MxS_2のゼーベック効果
- 2p-W-19 2H-MX_2のゼーベック効果
- 3a-A-5 1T-TaS_2のゼーベック効果
- 1a-B-5 BaPb_Bi_xO_3系のゼーベック効果(0≦X≦0.3を中心として)
- 27p-HE-12 BaPb_Bi_xO_3の比熱II
- 1a-H-8 BaPb_Bi_xO_3の比熱
- 13p-PS-13 Ag_2Fの磁気抵抗