4p-K-2 遷移金属ダイカルコゲナイド(1T-TaS_2)の電気伝導-II
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1977-03-20
著者
関連論文
- 2p-W-20 MX_3(TaS_3, NbSe_3)の非線型電気伝導
- 3a-A-6 1T-TaS_2の非線型電気伝導 : 磁気抵抗とホール効果
- 30p-E-12 1T-TaS_2及びTi_V_xSe_2の高電界下における磁気抵抗効果
- 8a-B-16 テルルのトンネル効果
- 30p-H-10 NbSe_2のトンネル効果測定
- 6p-H-7 半導体のマイクロ波非線型効果 V
- 14p-K-4 半導体のマイクロ波非線型現象 IV
- 14p-K-3 半導体のマイクロ波非線型現象 III
- ビスマスの自己磁氣抵抗効果 : 半導体 : 輸送
- 0.1°K付近のInSbの電気伝導度
- 30p-E-11 2HMX_2の電気伝導 II
- 5a-L-2 BaBi_Pb_xO_3における価数揺動状態と光学型フォノン
- 5p-DR-7 IV族遷移金属カルコゲナイドの光学的性質
- 2p-TC-10 Te系半導体について、(実験的側面から)
- 3a-A-3 2H-MX_2の電気伝導III
- 4p-K-2 遷移金属ダイカルコゲナイド(1T-TaS_2)の電気伝導-II
- 5a-B-10 遷移金属-ダイカルコゲナイド(1T-TaS_2)の電気伝導
- 5p-U-15 Te:Sbにおける、圧力により誘起されたMo材転移
- 4a-NF-10 Cu_Mo_6S_単結晶の電気的性質
- 30p-Q-4 Cu_xMo_6S_8 の単結晶成長と電気的性質 II
- 4a-J-2 単結晶Cu_xMo_6S_8のホール係数と横磁気抵抗
- 2p-B-13 2HMX_2の電気伝導
- 30p-E-13 TiSe_2の相転移 III
- 30p-Q-3 BaPb_Bi_xO_3超伝導体の磁気的性質
- 12p-F-8 Strip Line法によるNarrow Gap半導体のサイクロトロン共鳴
- 4a-R-12 HgTeの遠赤外磁気光吸収の一軸性応力効果
- 12a-W-11 Pb_Sn_xTeの遠赤外サイクロトロン共鳴
- 3p-M-10 テルルのthermoreflectance
- 6a-H-9 テルル単結晶の基礎吸収端付近における微細構造
- 3p-N-3 テルル単結晶の磁気光吸収 II
- 2a-A-4 テルル中の不純物準位の遠赤外光吸収
- 7p-Q-10 テルル単結晶のサイクロトロン共鳴
- 2p-TC-9 遠赤外におけるTe-Se混晶の格子吸収
- 15a-A-10 遠赤外におけるテルル単結晶の格子吸収
- 2a-N-14 (CH)_x フィルムの光輸送現象と接合特性
- 30a-H-7 La_(RE)_xMo_6S_8の超伝導
- 30p-E-10 1T-VSe_2の電流磁気効果 II
- 2p-B-12 VSe_2の電気的性質 I
- 31p KH-10 IT及び2H TaSe_2の電気伝導
- 5p-AB-3 層状超伝導体2HNbSe_2における非磁性不純物効果
- 5p-C-5 2H-NbS_2および2H-NbSe_2の超伝導 II
- InSbの抵抗異常とスピン散乱 : 半導体(輸送)
- 30p-HE-9 Cu_Mo_6S_,Ag_xMo_6S_8のゼーベック効果
- 30p-HE-8 シェブレル相単結晶Cu_Mo_6S_における電流磁気効果の組成依存性
- 2p-B-14 TiSe_2の相転移 II
- 2a-NL-14 遷移金属カルコゲナイドのNMR
- 31a-BJ-9 遷移金属ダイカルコゲナイド(1T-TaS_2系)の電気伝導
- 28p-RB-7 薄膜超伝導の展望
- 2a-F-6 1T-TaS_2とその混晶系のゼーベック効果
- 2p-NL-2 1T-Ta_MxS_2のゼーベック効果
- 2p-W-19 2H-MX_2のゼーベック効果
- 3a-A-5 1T-TaS_2のゼーベック効果
- 1a-B-5 BaPb_Bi_xO_3系のゼーベック効果(0≦X≦0.3を中心として)
- 4a-R-3 静水圧下におけるPb_Sn_xTeの電気伝導
- 蒸着蛍光膜の諸特性(2) : XXI. 光物性
- Tri-Glycune Sulfateのマイクロ波誘電特性 : XIX. 誘電体
- 27p-HE-12 BaPb_Bi_xO_3の比熱II
- 1a-H-8 BaPb_Bi_xO_3の比熱
- 13p-PS-13 Ag_2Fの磁気抵抗